[发明专利]倍频电路有效
| 申请号: | 201711369560.4 | 申请日: | 2017-12-19 |
| 公开(公告)号: | CN108123715B | 公开(公告)日: | 2021-02-23 |
| 发明(设计)人: | 何力 | 申请(专利权)人: | 四川和芯微电子股份有限公司 |
| 主分类号: | H03L7/16 | 分类号: | H03L7/16 |
| 代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
| 地址: | 610041 四川省*** | 国省代码: | 四川;51 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 倍频 电路 | ||
1.一种倍频电路,其特征在于,包括晶振单元、电流产生单元、第一镜像单元、第一电阻单元、第二镜像单元、第二电阻单元、运算放大器及压控振荡器,所述电流产生单元、第一镜像单元、第二镜像单元均与外部电源连接,所述电流产生单元产生第一电流,所述第一镜像单元镜像所述第一电流并形成第二电流,所述第二电流输入至所述第一电阻单元,所述第二镜像单元镜像所述第一电流并形成第三电流,所述第三电流输入至所述第二电阻单元,所述第一电阻单元分别与所述运算放大器的反向输入端及晶振单元连接,所述晶振单元产生的时钟信号的频率控制所述第一电阻单元的输出电阻值,所述第二电阻单元分别与所述运算放大器的正向输入端及压控振荡器的输出端连接,所述运算放大器的输出端与所述压控振荡器的输入端连接,所述压控振荡器输出信号的频率控制所述第二电阻单元的输出电阻值;所述第一电阻单元包括第一开关、第二开关、第一电容及第二电容;所述第一开关的一端与所述第一镜像单元、运算放大器的反向输入端连接,所述第一开关的另一端与所述第一电容的一端、第二电容的一端、第二开关的一端共同连接,所述第一电容的另一端、第二电容的另一端、第二开关的另一端均接地;所述第二电阻单元具有与所述第一电阻单元相同的结构特征。
2.如权利要求1所述的倍频电路,其特征在于,所述电流产生单元包括第一场效应管与第一电阻,所述第一场效应管的源极与外部电源连接,其栅极、漏极共同连接并与所述第一电阻的一端连接,所述第一电阻的另一端接地。
3.如权利要求2所述的倍频电路,其特征在于,所述第一镜像单元与第二镜像单元均为场效应管,所述第一镜像单元为第二场效应管,所述第二镜像单元为第三场效应管;所述第二场效应管、第三场效应管的源极均与外部电源连接,所述第二场效应管、第三场效应管的栅极均与第一场效应管的栅极连接;所述第二场效应管的漏极分别与所述第一电阻单元、运算放大器的反向输入端连接,所述第三场效应管的漏极分别与所述第二电阻单元、运算放大器的正向输入端连接。
4.如权利要求3所述的倍频电路,其特征在于,所述晶振单元包括晶振与反相器,所述晶振一端接地,另一端与所述反相器的输入端连接,且所述晶振、反相器的输出端均与所述第一电阻单元连接。
5.如权利要求3所述的倍频电路,其特征在于,所述第一场效应管、第二场效应管及第三场效应管均为P型场效应管。
6.如权利要求4所述的倍频电路,其特征在于,所述第一开关的一端还与所述第二场效应管的漏极连接;所述反相器输出的时钟信号控制所述第一开关的开/关,所述晶振输出的时钟信号控制所述第二开关的开/关。
7.如权利要求6所述的倍频电路,其特征在于,所述第二电阻单元与所述第三场效应管的漏极及运算放大器的正向输入端连接,其包括第三开关、第四开关、第三电容及第四电容。
8.如权利要求7所述的倍频电路,其特征在于,所述第一开关、第二开关、第三开关、第四开关均在其控制时钟为高电平时闭合,其控制时钟为低电平时打开。
9.如权利要求7所述的倍频电路,其特征在于,所述第二电容与第四电容的电容值相同。
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