[发明专利]垂直双扩散场效应晶体管及其制作方法

权利要求书

1.一种垂直双扩散场效应晶体管，其特征在于：所述晶体管包括N型衬底、形成于所述N型衬底上的N型外延区、形成于所述N型外延区表面的第一P型体区与第二P型体区、位于所述第一P型体区表面的第一N型注入区、位于所述第二P型体区表面的第二N型注入区、位于所述第一P型体区与所述第二P型体区之间的N型外延区表面的第三N型注入区、贯穿所述第一N型注入区并延伸至所述第一P型体区的第一P型注入区、贯穿所述第二N型注入区并延伸至所述第二P型体区的第二P型注入区、依次形成于所述N型外延区、所述第一及第二P型体区、所述第一、第二N型注入区上的栅氧化层与多晶硅层、贯穿所述栅氧化层及多晶硅层且对应所述第一N型注入区与P型注入区的第一开口、贯穿所述栅氧化层与多晶硅层且对应所述第二N型注入区及所述第二P型注入区的第二开口、贯穿所述栅氧化层及多晶硅层且对应所述第三N型注入区的第三开口、形成于所述多晶硅层上、所述第一、第二及第三N型注入区上的介质层、贯穿所述介质层且对应所述第一N型注入区与第一P型注入区的第一通孔、贯穿所述介质层且对应所述第二N型注入区与第二P型注入区的第二通孔。

2.如权利要求1所述的垂直双扩散场效应晶体管，其特征在于：所述晶体管还包括第一金属层，所述第一金属层形成于所述介质层上，所述第一金属层还经由所述第一通孔连接所述第一N型注入区与第一P型注入区，所述第一金属层也经由所述第二通孔连接所述第二N型注入区与第二P型注入区。

3.如权利要求2所述的垂直双扩散场效应晶体管，其特征在于：所述晶体管还包括第二金属层，所述第二金属层形成于所述N型衬底远离所述N型外延区的表面。

4.如权利要求1所述的垂直双扩散场效应晶体管，其特征在于：所述栅氧化层的厚度在0.001um-10um之间。

5.如权利要求1所述的垂直双扩散场效应晶体管，其特征在于：所述多晶硅层的厚度在0.001um-10um之间。

6.一种垂直双扩散场效应晶体管的制作方法，其特征在于：所述制作方法包括以下步骤：

提供具有N型衬底的N型外延区，在所述N型外延区依序形成栅氧化层及多晶硅层；

使用第一光刻胶作为掩膜，刻蚀所述栅氧化层与多晶硅层，形成贯穿所述栅氧化层与所述多晶硅层的第一开口与第二开口，利用所述第一开口与所述第二开口进行第一次P型离子注入及热退火激活所述P型离子从而形成对应所述第一开口的第一P型体区及对应所述第二开口的第二P型体区；

使用第一光刻胶作为掩膜，刻蚀所述第一开口与第二开口之间的栅氧化层与多晶硅层，从而形成位于所述第一开口与第二开口之间的第三开口，所述第三开口对应所述第一P型体区与第二P型体区之间的N型外延区，利用所述第一、第二及第三开口进行N型离子注入从而在所述第一P型体区表面形成第一N型注入区、在所述第二P型体区形成第二N型注入区、在所述第三开口对应的N型外延区表面形成第三N型注入区，去除第一光刻胶；

在所述多晶硅层上及所述第一、第二及第三开口中形成第一介质层；

刻蚀所述第一介质层形成贯穿所述第一开口中的第一介质层的第一注入窗口以及贯穿所述第二开口中的第一介质层的第二注入窗口，利用所述第一注入窗口与所述第二注入窗口进行第二次P型离子注入，从而在所述第一N型注入区中形成延伸至所述第一P型体区的第一P型注入区以及在所述第二N型注入区中形成延伸至所述第二P型体区的第二P型注入区；

在所述多晶硅层上、所述第一介质层上、所述第一P型注入区上及所述第二P型注入区上形成第二介质层；

使用第二光刻胶作为掩膜，刻蚀所述第二介质层，从而形成贯穿所述第二介质层且对应所述第一N型注入区与第一P型注入区的第一通孔以及贯穿所述第二介质层且对应所述第二N型注入区与第二P型注入区的第二通孔。

7.如权利要求6所述的垂直双扩散场效应晶体管的制作方法，其特征在于：所述制作方法还包括以下步骤：形成第一金属层，所述第一金属层形成于所述第一及第二介质层上，所述第一金属层还经由所述第一通孔连接所述第一N型注入区与第一P型注入区，所述第一金属层也经由所述第二通孔连接所述第二N型注入区与第二P型注入区。