[发明专利]电子装置有效
申请号: | 201711366392.3 | 申请日: | 2017-12-18 |
公开(公告)号: | CN109936890B | 公开(公告)日: | 2022-03-15 |
发明(设计)人: | 毛立维;丁景隆;曾名骏 | 申请(专利权)人: | 群创光电股份有限公司 |
主分类号: | H05B45/40 | 分类号: | H05B45/40;H05B45/00 |
代理公司: | 北京科龙寰宇知识产权代理有限责任公司 11139 | 代理人: | 孙皓晨 |
地址: | 中国台*** | 国省代码: | 台湾;71 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 电子 装置 | ||
1.一种电子装置,其特征在于,包括:
一发光单元,具有一第一端,该发光单元包括以串联方式彼此耦接的一第一二极管及一第二二极管,其中该第一二极管及该第二二极管中的至少一者为发光二极管,用以产生光线;以及
一第一电路单元,包括耦接于该发光单元的该第一端与一电压源之间的一第一薄膜晶体管,
其中该第一电路单元还包括一发光控制单元及一第二薄膜晶体管,该发光控制单元耦接于该第一薄膜晶体管与该发光单元的该第一端之间,该发光控制单元包括一第三薄膜晶体管,该第二薄膜晶体管的源极及漏极的其中一个耦接于该第一薄膜晶体管的栅极,且该发光控制单元耦接于该第二薄膜晶体管的该源极及该漏极的其中另一个。
2.如权利要求1所述的电子装置,其特征在于,该第一薄膜晶体管具有一主动层,该主动层的材料包括低温多晶硅半导体、非晶硅半导体及金属氧化物半导体至少其中之一。
3.如权利要求1所述的电子装置,其特征在于,该电子装置更包括一第二电路单元,该第一电路单元及该第二电路单元以并联方式彼此电性连接,且该第二电路单元耦接于该电压源及该发光单元的该第一端之间。
4.如权利要求1所述的电子装置,其特征在于,该第一二极管及该第二二极管皆为发光二极管。
5.如权利要求1所述的电子装置,其特征在于,该第一二极管及该第二二极管分别包括一P型半导体层、一发光层以及一N型半导体层。
6.如权利要求1所述的电子装置,其特征在于,该发光单元包括一第一封装体,且该第一二极管及该第二二极管设置于该第一封装体中。
7.如权利要求6所述的电子装置,其特征在于,该第一封装体包括一第一载板,且该第一二极管及该第二二极管设置于该第一载板上。
8.如权利要求1所述的电子装置,其特征在于,该发光单元包括一第一封装体及一第二封装体,该第一二极管设置于该第一封装体中,该第二二极管设置于该第二封装体中。
9.如权利要求1所述的电子装置,其特征在于,该发光单元更包括一第三二极管、一第一封装体及一第二封装体,该第三二极管与该第一二极管以串联方式彼此耦接,该第一二极管及该第二二极管设置于该第一封装体中,且该第三二极管设置于该第二封装体中。
10.如权利要求1所述的电子装置,其特征在于,该发光单元更包括一第二端,该电压源为一高电压源,且该发光单元的该第二端耦接于一低电压源。
11.如权利要求10所述的电子装置,其特征在于,该第一电路单元更包括一电容,该电容耦接于该第一薄膜晶体管的该栅极与漏极之间。
12.如权利要求1所述的电子装置,其特征在于,该第二薄膜晶体管的该源极及该漏极的其中该另一个耦接于一数据线,且该第二薄膜晶体管的栅极耦接于一扫描线。
13.如权利要求1所述的电子装置,其特征在于,该第一电路单元还包括另一发光控制单元,该另一发光控制单元耦接于该第一薄膜晶体管与该电压源之间。
14.如权利要求1所述的电子装置,其特征在于,更包括一显示面板,该显示面板相对该发光单元设置。
15.如权利要求1所述的电子装置,其特征在于,该发光单元为一像素。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于群创光电股份有限公司,未经群创光电股份有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201711366392.3/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。