[发明专利]触控显示装置及其制作方法有效
申请号: | 201711366293.5 | 申请日: | 2017-12-18 |
公开(公告)号: | CN108183122B | 公开(公告)日: | 2020-11-17 |
发明(设计)人: | 冯校亮 | 申请(专利权)人: | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32;G06F3/041 |
代理公司: | 深圳市铭粤知识产权代理有限公司 44304 | 代理人: | 孙伟峰;武岑飞 |
地址: | 430070 湖北省武汉市东湖新技术*** | 国省代码: | 湖北;42 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 显示装置 及其 制作方法 | ||
本发明公开了一种触控显示装置,其包括:基板;薄膜晶体管层,设置于基板上,薄膜晶体管层包括薄膜晶体管;阳极,设置在薄膜晶体管层上且与薄膜晶体管的源极或漏极接触;第一触控电极结构,设置于薄膜晶体管层上且与阳极绝缘;第一平坦层,设置在第一触控电极结构、薄膜晶体管层和阳极上,第一平坦层中具有暴露阳极的第一过孔;第二触控电极结构,设置于第一平坦层上;OLED器件,设置在阳极上;阴极,设置于第一平坦层上且与第二触控电极结构绝缘,阴极填充第一过孔以接触OLED器件;封装层,设置于阴极和第一平坦层上。本发明将触控电极结构内嵌入到OLED显示器,实现了高触控精度和灵敏度的内嵌式触控OLED显示器。
技术领域
本发明属于触控显示技术领域,具体地讲,涉及一种触控显示装置及其制作方法。
背景技术
随着显示技术的快速发展,人们对显示器的要求越来越高,高分辨率、高炫彩性、响应速度更快等性能要求也促使显示技术向更高、更强、更快、更轻薄的方向发展。有机发光二极管(Organic Light Emitting Diode,OLED)作为显示解决方案的半导体元件技术也得到了飞速的发展。就现有显示技术来说,OLED显示具有自发光、响应速度快、宽视角、适应柔性基底,既可以应用在手机、电视、电脑等常规电器上,也可以用在虚拟现实(VR)装置、手表、可穿戴装置等异形,甚至可折叠、可卷曲等显示领域,广泛的应用领域,使其成为未来的主流显示技术之一。因此对OLED的技术研究和发展也成为各大面板制造公司竞争未来显示市场的核心。
当前,随着技术的发展,触控技术越来越依附于显示技术,成为显示装置产品的一个必不可少的附属功能。随着显示精度越来越高,对触控的技术要求也逐渐提升,触控的精度、灵敏度也会成为显示体验的重要因素。
发明内容
为了解决上述现有技术存在的问题,本发明的目的在于提供一种能够将触控技术嵌入到OLED显示器中以实现高触控精度和灵敏度的触控显示装置及其制作方法。
根据本发明的一方面,提供了一种触控显示装置,其包括:基板;薄膜晶体管层,设置于所述基板上,所述薄膜晶体管层包括薄膜晶体管;阳极,设置在所述薄膜晶体管层上且与所述薄膜晶体管的源极或漏极接触;第一触控电极结构,设置于所述薄膜晶体管层上且与所述阳极绝缘;第一平坦层,设置在所述第一触控电极结构、所述薄膜晶体管层和所述阳极上,所述第一平坦层中具有暴露所述阳极的第一过孔;第二触控电极结构,设置于所述第一平坦层上;OLED器件,设置在所述阳极上;阴极,设置于所述第一平坦层上且与所述第二触控电极结构绝缘,所述阴极填充所述第一过孔以接触所述OLED器件;封装层,设置于所述阴极和所述第一平坦层上。
进一步地,所述触控显示装置还包括:绝缘保护层,设置在所述第一平坦层和所述阴极之间且覆盖所述第二触控电极结构。
进一步地,所述第一触控电极结构包括多个第一感测串,所述多个第一感测串彼此平行且分离且每个第一感测串沿第一方向延伸,每个第一感测串包括串接的多个第一感测垫以及多条第一桥接线。
进一步地,所述第二触控电极结构包括多个第二感测串,所述多个第二感测串彼此平行且分离且每个第二感测串沿与所述第一方向垂直的第二方向延伸,每个第二感测串包括串接的多个第二感测垫以及多条第二桥接线。
进一步地,所述第一感测垫和/或所述第二感测垫的形状呈矩形、网格状、菱形、三角形、正五边形、正六边形、正八变形中的一种。
进一步地,所述触控显示装置还包括多个绑定垫和多条走线,每个第一感测串通过对应的一条走线连接到对应的一个绑定垫,每个第二感测串通过对应的一条走线连接到对应的一个绑定垫。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的