[发明专利]触控显示装置及其制作方法有效
申请号: | 201711366293.5 | 申请日: | 2017-12-18 |
公开(公告)号: | CN108183122B | 公开(公告)日: | 2020-11-17 |
发明(设计)人: | 冯校亮 | 申请(专利权)人: | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32;G06F3/041 |
代理公司: | 深圳市铭粤知识产权代理有限公司 44304 | 代理人: | 孙伟峰;武岑飞 |
地址: | 430070 湖北省武汉市东湖新技术*** | 国省代码: | 湖北;42 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 显示装置 及其 制作方法 | ||
1.一种触控显示装置,其特征在于,包括:
基板;
薄膜晶体管层,设置于所述基板上,所述薄膜晶体管层包括薄膜晶体管;
阳极,设置在所述薄膜晶体管层上且与所述薄膜晶体管的源极或漏极接触;
第一触控电极结构,设置于所述薄膜晶体管层上且与所述阳极绝缘;
第一平坦层,设置在所述第一触控电极结构、所述薄膜晶体管层和所述阳极上,所述第一平坦层中具有暴露所述阳极的第一过孔;
第二触控电极结构,设置于所述第一平坦层上;
OLED器件,设置在所述阳极上;
阴极,设置于所述第一平坦层上且与所述第二触控电极结构绝缘,所述阴极填充所述第一过孔以接触所述OLED器件;
封装层,设置于所述阴极和所述第一平坦层上;
所述触控显示装置还包括:绝缘保护层,设置在所述第一平坦层和所述阴极之间且覆盖所述第二触控电极结构而形成平坦的表面。
2.根据权利要求1所述的触控显示装置,其特征在于,所述第一触控电极结构包括多个第一感测串,所述多个第一感测串彼此平行且分离且每个第一感测串沿第一方向延伸,每个第一感测串包括串接的多个第一感测垫以及多条第一桥接线。
3.根据权利要求2所述的触控显示装置,其特征在于,所述第二触控电极结构包括多个第二感测串,所述多个第二感测串彼此平行且分离且每个第二感测串沿与所述第一方向垂直的第二方向延伸,每个第二感测串包括串接的多个第二感测垫以及多条第二桥接线。
4.根据权利要求3所述的触控显示装置,其特征在于,所述第一感测垫和/或所述第二感测垫的形状呈矩形、网格状、菱形、三角形、正五边形、正六边形、正八变形中的一种。
5.根据权利要求3所述的触控显示装置,其特征在于,所述触控显示装置还包括多个绑定垫和多条走线,每个第一感测串通过对应的一条走线连接到对应的一个绑定垫,每个第二感测串通过对应的一条走线连接到对应的一个绑定垫。
6.一种触控显示装置的制作方法,其特征在于,包括:
提供一基板;
在所述基板上制作形成包括薄膜晶体管的薄膜晶体管层;
在所述薄膜晶体管层上制作形成与薄膜晶体管的源极或漏极接触的阳极;
在所述薄膜晶体管层上制作形成与所述阳极绝缘的第一触控电极结构;
在所述第一触控电极结构、所述薄膜晶体管层和所述阳极上制作形成第一平坦层;
在所述第一平坦层上制作形成第二触控电极结构;
在所述第一平坦层和所述第二触控电极结构上制作形成绝缘保护层,且使所述绝缘保护层形成平坦的表面;
在所述第一平坦层和绝缘保护层中制作形成暴露所述阳极的第一过孔;
在所述阳极上制作形成OLED器件;
在所述绝缘保护层上制作形成阴极,所述阴极填充所述第一过孔以接触所述OLED器件;
在所述阴极和所述绝缘保护层上制作形成封装层。
7.根据权利要求6所述的触控显示装置的制作方法,其特征在于,所述第一触控电极结构包括多个第一感测串,所述多个第一感测串彼此平行且分离且每个第一感测串沿第一方向延伸,每个第一感测串包括串接的多个第一感测垫以及多条第一桥接线;
所述第二触控电极结构包括多个第二感测串,所述多个第二感测串彼此平行且分离且每个第二感测串沿与所述第一方向垂直的第二方向延伸,每个第二感测串包括串接的多个第二感测垫以及多条第二桥接线。
8.根据权利要求6所述的触控显示装置的制作方法,其特征在于,所述触控显示装置的制作方法还包括:在基板上制作形成多个绑定垫和多条走线;其中,每个第一感测串通过对应的一条走线连接到对应的一个绑定垫,每个第二感测串通过对应的一条走线连接到对应的一个绑定垫。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的