[发明专利]由p+

说明书

层堆叠的制造方法，层堆叠由p⁺衬底、p^‑层、n^‑层和第三层构成，p⁺衬底具有5*10¹⁸‑5*10²⁰N/cm³的掺杂剂浓度和50‑900微米的层厚度且包括GaAs化合物，p^‑层具有10¹⁴‑10¹⁶N/cm³的掺杂剂浓度和0.01‑30微米的层厚度且包括GaAs化合物，n^‑层具有10¹⁴‑10¹⁶N/cm³的掺杂剂浓度，10‑200微米的层厚度且包括GaAs化合物，制造第一和第二部分堆叠且两个部分堆叠的上侧通过晶圆接合材料锁合地连接，第一部分堆叠包括至少p⁺衬底，第二部分堆叠包括至少n^‑层，p^‑层通过外延或注入制造，p^‑层构成第一或第二部分堆叠的上侧，制造第三层，n^‑层在n⁺衬底上制造。

技术领域

本发明涉及一种由p⁺衬底、p^-层、n^-层和第三层构成的层堆叠的制造方法。

背景技术

由German Ashkinazi的《GaAs Power Devices》ISBN 965-7094-19-4(第 8页和第9页)已知一种高压稳定的半导体二极管p⁺-n-n⁺，其中，所述n^-层和n⁺层借助液相外延在两个p⁺衬底之间制造。在第三章，第22-26页描述一种肖特基二极管，所述肖特基二极管具有包括GaAs的具有n⁺衬底的外延的层结构以及用于构造肖特基接通部的包括镍的层。

由EP 2 645 431 A1已知一种用于由两个或多个太阳能电池构成的双太阳能电池(Tandemsolarzelle)的制造方法，其中，至少一个第一太阳能电池在基础衬底结构上制造，第二太阳能电池在辅助衬底上制造，并且所述两个太阳能电池紧接着借助晶圆接合材料锁合地彼此连接。

发明内容

在这些背景下，本发明的任务在于，说明一种扩展现有技术的设备。

所述任务通过具有权利要求1的特征的制造方法解决。本发明的有利构型是从属权利要求的主题。

根据本发明的主题提供一种用于层堆叠的制造方法，所述层堆叠包括 p⁺衬底、p^-层、n^-层和第三层。

所述p⁺衬底具有1*10¹⁸-5*10²⁰N/cm³的掺杂剂浓度和50-500微米的层厚度并且包括GaAs化合物或者由GaAs化合物构成。

所述p^-层具有10¹⁴-10¹⁶N/cm³的掺杂剂浓度和0.01-30微米的层厚度并且包括GaAs化合物或者由GaAs化合物构成。

所述n^-层具有10¹⁴-10¹⁶N/cm³的掺杂剂浓度，10-200微米的层厚度并且包括GaAs化合物或者由GaAs化合物构成。

制造第一部分堆叠和第二部分堆叠并且使第一部分堆叠的上侧与第二部分堆叠的上侧通过晶圆接合材料锁合地连接，以便制造层堆叠。

第一部分堆叠至少包括p⁺衬底，而第二部分堆叠至少包括n^-层。