[发明专利]由p+

权利要求书

1.一种层堆叠的制造方法，所述层堆叠由p⁺衬底、p^-层、n^-层和第三层构成，其中，

-所述p⁺衬底具有5*10¹⁸-5*10²⁰N/cm³的掺杂剂浓度和50-900微米的层厚度并且包括GaAs化合物或者由GaAs化合物构成，

-所述p^-层具有10¹⁴-10¹⁶N/cm³的掺杂剂浓度和0.01-1微米的层厚度并且包括GaAs化合物或者由GaAs化合物构成，

-所述n^-层具有10¹⁴-10¹⁶N/cm³的掺杂剂浓度和10-200微米的层厚度并且包括GaAs化合物或者由GaAs化合物构成，

-制造第一部分堆叠和第二部分堆叠并且使所述第一部分堆叠的上侧与所述第二部分堆叠的上侧通过晶圆接合材料锁合地连接，以便制造所述层堆叠，

-所述第一部分堆叠至少包括所述p⁺衬底，

-所述第二部分堆叠至少包括所述n^-层，

-通过在所述p⁺衬底的上侧上的外延或注入制造所述p^-层，或通过在所述n^-层上的外延制造所述p^-层，并且所述p^-层形成所述第一部分堆叠的或所述第二部分堆叠的上侧，

-所述第三层在所述晶圆接合之前或之后制造，

-在第一替代方案中，在所述晶圆接合之后通过磨削至少部分地形成所述第二部分堆叠的n^-衬底制造所述n^-层，或者，在第二替代方案中，在所述晶圆接合之前在n⁺衬底上制造所述n^-层。

2.根据权利要求1所述的制造方法，其特征在于，通过在n⁺衬底上的外延制造在所述晶圆接合之前在所述n⁺衬底上制造的n^-层。

3.根据权利要求1或2所述的制造方法，其特征在于，所述第三层构造为n⁺层，所述n⁺层具有至少10¹⁹N/cm³的掺杂剂浓度，小于30微米的层厚度并且包括GaAs化合物或者由GaAs化合物构成。

4.根据权利要求3所述的制造方法，其特征在于，在所述晶圆接合之后通过在通过磨削制造的n^-层上的外延或通过在通过磨削制造的n^-层中的注入制造所述n⁺层，或所述n⁺层通过与所述n⁺衬底的分离制造。

5.根据权利要求4所述的制造方法，其特征在于，使所述n⁺层作为所述n⁺衬底的直接邻接所述n^-层的区域与所述n^-层一起在晶圆接合之前与所述n⁺衬底分离。

6.根据权利要求1所述的制造方法，其特征在于，借助晶格缺陷的注入使所述n^-层与n^-衬底分离。

7.根据权利要求1或2所述的制造方法，其特征在于，使所述n^-层借助晶格缺陷的注入与所述n⁺衬底分离和/或使所述n⁺层通过晶格缺陷的注入与所述n⁺衬底分离。

8.根据权利要求1或2所述的制造方法，其特征在于，所述第三层包括金属或金属化合物或者由金属或金属化合物构成。