[发明专利]显示装置、半透半反的阵列基板及其制造方法

权利要求书

1.一种半透半反的阵列基板，其特征在于，所述半透半反的阵列基板包括多条扫描线、多条与所述扫描线相交的数据线以及多个由相交的所述扫描线和数据线围设而成的像素单元，每个所述像素单元包括TFT开关管、光阻层以及像素电极，其中所述TFT开关管分别与所述扫描线、数据线以及像素电极电连接，所述光阻层设置在所述TFT开关管上；

每个所述像素单元还包括反射区，其中在所述反射区进一步设置有反射层，所述反射层设置在所述光阻层的上方，以避免外部光线进入所述反射区时被所述光阻层过滤；

其中，所述TFT开关管包括与所述扫描线同层设置的栅极、与所述数据线同层设置的源极和漏极，其中，所述栅极电连接所述扫描线、所述源极电连接所述数据线，所述漏极电连接所述像素电极；

所述光阻层设置在所述数据线和所述像素电极之间，所述反射层设置在所述像素电极的上方；

所述反射层为COM金属结构，其厚度为1000A。

2.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述阵列基板还包括第一绝缘层、第二绝缘层、第三绝缘层以及第四绝缘层，其中：

所述第一绝缘层设置在所述扫描线和所述数据线之间；

所述第二绝缘层设置在所述数据线和所述光阻层之间；

所述第三绝缘层设置在所述光阻层和所述像素电极之间，并且在所述第三绝缘层上设置通孔，所述通孔穿过所述第三绝缘层、光阻层以及第二绝缘层以露出所述漏极，所述像素电极通过所述通孔与所述漏极电连接；

所述第四绝缘层设置在所述像素电极和所述反射层之间。

3.根据权利要求2所述的阵列基板，其特征在于，阵列基板还包括半导体层，其中：

所述半导体层设置在所述第一绝缘层上，且所述半导体层分别与所述源极和漏极电连接。

4.根据权利要求3所述的阵列基板，其特征在于，阵列基板还包括公共电极，其中：

所述公共电极设置在所述反射层上。

5.一种半透半反的阵列基板的制造方法，其特征在于，所述半透半反的阵列基板包括多个像素单元，每个所述像素单元包括反射区，所述制造方法包括以下步骤：

设置多条扫描线、多条与所述扫描线相交的数据线以及多个TFT开关管，其中，相交的多条所述扫描线和多条所述数据线围设成所述多个像素单元，所述TFT开关管设置在所述像素单元内并分别与所述扫描线和所述数据线电连接；

在每个所述像素单元的TFT开关管的上方设置对应的光阻层；

在所述光阻层的上方设置对应每个所述像素单元的像素电极，其中，所述TFT开关管进一步与所述像素电极电连接；

在所述反射区中并位于所述光阻层的上方设置反射层，以避免外部光线进入所述反射区时被所述光阻层过滤，所述反射层设置于所述像素电极上方；

所述反射层为COM金属结构，其厚度为1000A。

6.根据权利要求5所述的制造方法，其特征在于，所述设置多条扫描线、多条与所述扫描线相交的数据线以及多个TFT开关管还包括：

沉淀一层栅极金属层，并通过对所述栅极金属层进行曝光、显影、湿刻和剥离以形成所述扫描线和所述TFT开关管的栅极，其中，所述栅极电连接所述扫描线；

在所述扫描线和所述栅极的上方沉淀一层源漏极金属层，并通过对所述源漏极金属层进行曝光、显影、湿刻、沟道干刻和剥离以形成所述数据线、所述TFT开关管的源极和漏极，所述源极电连接所述数据线，所述漏极电连接所述像素电极。