[发明专利]一种摩擦界面原位形成石墨烯和洋葱实现超滑的方法有效
| 申请号： | 201711360852.1 | 申请日： | 2017-12-18 |
| 公开（公告）号： | CN108220908B | 公开（公告）日： | 2019-11-05 |
| 发明（设计）人： | 张俊彦;王永富;高凯雄;张斌 | 申请（专利权）人： | 中国科学院兰州化学物理研究所 |
| 主分类号： | C23C16/26 | 分类号： | C23C16/26;C23C16/513 |
| 代理公司： | 兰州中科华西专利代理有限公司 62002 | 代理人： | 周瑞华 |
| 地址： | 730000 甘*** | 国省代码： | 甘肃;62 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 石墨烯 洋葱 摩擦界面 服役寿命 原位形成 灵敏度 摩擦 航空航天部件 纳米结构薄膜 界面作用力 材质表面 减少摩擦 降低摩擦 类富勒烯 面面接触 摩擦系数 球面接触 聚合物 副接触 磨损率 石墨碳 沉积 高端 公度 陶瓷 金属 | ||
【权利要求书】：
1.一种摩擦界面原位形成石墨烯和洋葱实现超滑的方法，其特征在于将类富勒烯碳和类石墨碳纳米结构薄膜配对组成摩擦副，在摩擦界面形成石墨烯和洋葱；
类富勒烯碳纳米结构由甲烷或乙炔经等离子体化学气相沉积技术获得；通入纯度大于99.99%的CH4或C2H2气体，调整脉冲偏压至800-1200 V，导通比0.5-0.7，频率30-80 KHz，甲烷气体气压保持在14-18 Pa，甲烷与氢气的气压比为1:1-1:3，制备类富勒烯碳薄膜；薄膜硬度18-32GPa，厚度1-5微米，表面光洁度0.1-0.5nm；
类石墨碳纳米结构由甲烷或乙炔经等离子体化学气相沉积技术获得；采用辅助电源加热使基底温度控制在150-350℃，通入纯度大于99.99%的CH4或C2H2气体，调整脉冲偏压至800-1000 V，导通比0.5-0.8，频率30-50 KHz，甲烷气体气压保持在15-18 Pa，甲烷与氢气的气压比为1:0-1:1，制备类石墨碳薄膜；测试结果薄膜硬度7-14GPa，厚度1-5微米，表面光洁度0.05-0.5nm。
2.如权利要求1所述的方法，其特征在于所述等离子体化学气相沉积包括直流、直流脉冲、高功率脉冲电源、交流或射频电源。
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C23 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上，例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆，例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上，例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆，例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
