[发明专利]一种抗水树中压乙丙绝缘电缆的制造方法及电缆

权利要求书

1.一种抗水树中压乙丙绝缘电缆的制造方法，其特征是

所述电缆的结构为：围绕同一轴线，自内而外依次是导体、导体屏蔽层、绝缘层、绝缘屏蔽层和护套层；

在护套层内嵌有多根中性导体，各根中性导体绕在绝缘屏蔽层外，且与绝缘屏蔽层的外壁密贴；相邻中性导体之间的间距相同，且间距大于0；

构成所述导体屏蔽层的是交联聚乙烯半导电屏蔽料；构成所述绝缘层的是含有抗水树生长剂的三元乙丙橡胶绝缘料；构成所述绝缘屏蔽层的是橡胶半导电屏蔽料；构成所述护套层的是聚乙烯护套料；

所述导体的截面积不小于500mm²；导体屏蔽层的厚度不小于0.61mm；绝缘层的厚度为5.33～6.35mm；绝缘屏蔽层的厚度为1.40～2.67mm；护套层的厚度为1.78～3.05mm；

所述电缆的制造方法，其步骤包括：

1)制造导体：

把铜单丝或铝单丝绞合压紧构成截面是圆形的导体；导体的截面积不小于500mm²；

2)制造导体屏蔽层：

先把半导电尼龙带绕包在导体外，再在其外挤包交联聚乙烯半导电屏蔽料；

半导电尼龙带标称厚度为0.1～0.15mm，搭盖率不小于50％；

所述半导电尼龙带在使用前烘干，烘干温度为50～60℃，烘干时间不少于24h；冷却至常温后及时密封保存；经烘干处理的半导电尼龙带应在12h内使用完；

对于生产过程中未使用完并且已开封的半导电尼龙带应及时进行密封保存；绕包半导电尼龙带导体应在半导电带绕包完成后72h内转入下道工序步骤进行生产；

3)制造绝缘层：

在导体屏蔽层外挤包三元乙丙橡胶绝缘料，构成绝缘层；

4)制造绝缘屏蔽层：

在绝缘层外挤包半导电绝缘屏蔽料构成绝缘屏蔽层；

所述步骤2)～4)中，挤包交联聚乙烯半导电屏蔽料、三元乙丙橡胶绝缘料和半导电绝缘屏蔽料是采用三层共挤工艺由挤橡机制造；

5)由步骤1)～4)制得线芯；在线芯的绝缘屏蔽层外疏绕裸铜丝；疏绕方向为右向，疏绕节径比为6～10；

裸铜丝的数量为6～32根；裸铜丝的线径范围为：1.29～3.26mm；裸铜丝疏绕时候的张力范围为15～30N；

再在裸铜丝外间隙绕包无纺布带，绕包方向为左向；

无纺布带绕包时候的张力范围为：5～10N；无纺布带为非搭盖状态，无纺布带间隙范围为：5～10mm；

最后采用光洁铁盘收线；

6)把步骤5)得到线盘装在护套挤包生产线的放线机上，边放线边取下步骤5)中的无纺布带；再由挤包生产线的挤塑机挤包护套料；

所述步骤2) ～4)中，三层共挤的工艺要求为：

自进料到出料方向，三层共挤机身温度控制如下：

交联聚乙烯半导电屏蔽料挤出一区温度范围是76～83℃、二区温度范围是88～92℃、三区温度范围是94～98℃；

三元乙丙橡胶绝缘料挤出一区温度范围是66～72℃、二区温度范围是78～84℃、三区温度范围是87～91℃；

半导电绝缘屏蔽料挤出一区温度范围是68～73℃、二区温度范围是76～81℃、三区温度范围是88～94℃、四区温度范围是96～100℃；

其中：一区为入料段，二区和三区为塑化段，四区为均化段；

自进料到出料方向，挤橡机的机头单元温区为：一区温度范围是94～98℃、二区温度范围是95～96℃、三区温度范围是89～92℃；

其中：一区为机头段、二区为机颈段、三区为模口段；

冷却是采用冷水冷却；

所述步骤6)中，自进料到出料方向，挤塑机的机身各区温度分布为：一区温度范围是152～158℃、二区温度范围是160～166℃、三区温度范围是173～180℃、四区温度范围是182～188℃，其中：一区为入料段，二区和三区为塑化段，四区为均化段；

挤塑机的机头单元温度为：机头为温度范围是182～188℃、机颈为温度范围是182～188℃、模口为温度范围是182～188℃；

护套应采用分段冷却，第一段冷却水槽水温为60～70℃，其它段均采用常温水。

2.根据权利要求1所述的电缆的制造方法，其特征是所述护套层的外壁内嵌有色条。