[发明专利]白光量子点发光二极管及其制备方法在审
申请号: | 201711354834.2 | 申请日: | 2017-12-15 |
公开(公告)号: | CN109935720A | 公开(公告)日: | 2019-06-25 |
发明(设计)人: | 曹蔚然;梁柱荣;杨一行;向超宇;钱磊 | 申请(专利权)人: | TCL集团股份有限公司 |
主分类号: | H01L51/50 | 分类号: | H01L51/50;H01L51/56 |
代理公司: | 深圳中一专利商标事务所 44237 | 代理人: | 官建红 |
地址: | 516006 广东省*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 量子点 薄膜 制备 配体 发光叠层 置换 第一层 预制 阴极 发光二极管 量子点表面 阳极 底电极 光量子 有机发光薄膜 密闭装置 发白光 可连接 正整数 相配 复合 | ||
本发明涉及一种白光量子点发光二极管及其制备方法,包括:提供底电极;在底电极上制备量子点预制薄膜,该量子点预制薄膜中的量子点表面连接有初始配体;将量子点预制薄膜置于可密闭装置中,通入气态的置换配体进行气相配体置换,得到量子点表面结合置换配体的第一层量子点薄膜,该置换配体可连接至少两个量子点;采用第一层量子点薄膜的制备方法制得N层层叠的量子点薄膜,得到发光叠层;或采用第一层量子点薄膜的制备方法制得N‑1层层叠的量子点薄膜,在第N‑1层量子点薄膜上制备一有机发光薄膜,得到发光叠层;其中,N为正整数,2≤N≤10;且发光叠层复合发白光;其中,底电极为阳极,顶电极为阴极;或底电极为阴极,顶电极为阳极。
技术领域
本发明属于平板显示技术领域,具体涉及一种白光量子点发光二极管及其制备方法。
背景技术
量子点(Quantum dot)是一种准零维纳米材料,类似超晶格和量子阱,其颗粒大小约为1~100nm,具有量子限域效应、表面效应、量子尺寸效应和量子隧道效应等性能,同时具有单色性好、色纯度高、发光光谱窄等突出优点,是一种非常有前景的纳米材料。基于量子点的发光二极管被称为量子点发光二极管(Quantum dots light-emitting diode,QLED),是一种新型的显示技器件。量子点显示的优势在于色域覆盖广、色彩容易控制以及色纯度高等优点,被认为是显示技术的新星,同时也被认为是显示技术的革命性代表。
目前,主流的量子点白光器件主要是通过将红绿蓝三色(或更多发光颜色)量子点混合,制备混合量子点发光层,从而实现白光器件。但不同量子点混合之后,量子点之间较容易发生能量传递,因此基于将不同颜色量子点混合的方法制备的白光器件容易出现发光颜色随电压的改变而发生变化的情况。同时,基于目前的溶液制备方法,在量子点层上面制备第二层量子点层时,第二层使用溶剂会很大程度破坏第一层的量子点薄膜,从而不易实现多层量子点逐层堆叠的器件结构。
发明内容
本发明的目的在于克服现有技术的上述不足,提供一种白光量子点发光二极管及其制备方法,旨在解决现有白光量子点发光二极管制备过程中,多层量子点薄膜之间不能逐层堆叠形成发光叠层的技术问题。
本发明的另一目的在于提供一种含有上述白光量子点发光二极管的显示屏。
为实现上述发明目的,本发明采用的技术方案如下:
本发明一方面提供一种白光量子点发光二极管的制备方法,包括如下步骤:
提供底电极;
在所述底电极上制备量子点预制薄膜,所述量子点预制薄膜中的量子点表面连接有初始配体;将所述量子点预制薄膜置于可密闭装置中,通入气态的置换配体,进行气相配体置换,得到量子点表面结合所述置换配体的第一层量子点薄膜,所述置换配体可连接至少两个量子点;
采用所述第一层量子点薄膜的制备方法制得N层层叠的量子点薄膜,得到发光叠层;或
采用所述第一层量子点薄膜的制备方法制得N-1层层叠的量子点薄膜,在第N-1层量子点薄膜上制备一有机发光薄膜,得到发光叠层;
其中,N为正整数,2≤N≤10;且所述发光叠层复合发白光;
在所述发光叠层上制备顶电极;
其中,所述底电极为阳极,所述顶电极为阴极;或所述底电极为阴极,所述顶电极为阳极。
相应地,一种白光量子点发光二极管,其特征在于,所述白光量子点发光二极管由上述制备方法制得。
另外,一种显示屏,包括上述白光量子点发光二极管。
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