[发明专利]白光量子点发光二极管及其制备方法在审
申请号: | 201711354834.2 | 申请日: | 2017-12-15 |
公开(公告)号: | CN109935720A | 公开(公告)日: | 2019-06-25 |
发明(设计)人: | 曹蔚然;梁柱荣;杨一行;向超宇;钱磊 | 申请(专利权)人: | TCL集团股份有限公司 |
主分类号: | H01L51/50 | 分类号: | H01L51/50;H01L51/56 |
代理公司: | 深圳中一专利商标事务所 44237 | 代理人: | 官建红 |
地址: | 516006 广东省*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 量子点 薄膜 制备 配体 发光叠层 置换 第一层 预制 阴极 发光二极管 量子点表面 阳极 底电极 光量子 有机发光薄膜 密闭装置 发白光 可连接 正整数 相配 复合 | ||
1.一种白光量子点发光二极管的制备方法,其特征在于,包括如下步骤:
提供底电极;
在所述底电极上制备量子点预制薄膜,所述量子点预制薄膜中的量子点表面连接有初始配体;将所述量子点预制薄膜置于可密闭装置中,通入气态的置换配体,进行气相配体置换,得到量子点表面结合所述置换配体的第一层量子点薄膜,所述置换配体可连接至少两个量子点;
采用所述第一层量子点薄膜的制备方法制得N层层叠的量子点薄膜,得到发光叠层;或
采用所述第一层量子点薄膜的制备方法制得N-1层层叠的量子点薄膜,在第N-1层量子点薄膜上制备一有机发光薄膜,得到发光叠层;
其中,N为正整数,2≤N≤10;且所述发光叠层复合发白光;
在所述发光叠层上制备顶电极;
其中,所述底电极为阳极,所述顶电极为阴极;或所述底电极为阴极,所述顶电极为阳极。
2.如权利要求1所述的制备方法,其特征在于,所述置换配体的结构通式为X1-R-X2,其中X1和X2为与量子点表面相连接的官能团,R为烃基或烃基衍生物。
3.如权利要求2所述的制备方法,其特征在于,所述置换配体中的X1为卤素原子、-SH、-COOH、-NH2、-OH、-NO2、-SO3H、膦基、磷酸基中的至少一种;和/或
所述置换配体中的X2为卤素原子、-SH、-COOH、-NH2、-OH、-NO2、-SO3H、膦基、磷酸基中的至少一种。
4.如权利要求3所述的制备方法,其特征在于,所述置换配体包括1,2-乙二硫醇、1,4-丁二硫醇、1,6-己二硫醇、1,8-辛二硫醇、1,4-苯二硫醇、1,4-苯二甲硫醇、巯基乙胺、巯基丙胺、巯基乙酸、3-巯基丙酸、3-巯基丁酸、6-巯基己酸、1,2-乙二胺、1,3-丙二胺、1,4-丁二胺、1,5-戊二胺、1,6-己二胺、4-巯基苯甲酸、巯基甘油、1-三甲基胺乙硫醇、硝基苯硫醇、磺基苯硫醇、巯基苯乙酸、硝基苯磺酸、苯二胺、巯基苯胺、硝基苯胺、磺基苯胺、对苯二甲酸、对苯二乙酸、氨基苯甲酸、4-(二苯基膦基)苯甲酸中的至少一种。
5.如权利要求2所述的量子点薄膜的制备方法,其特征在于,所述通入气态的置换配体的步骤包括:将液态的置换配体经蒸发或沸腾处理后得到气态的置换配体,再通入所述的可密闭装置中;或
将固态置换配体经升华处理或依次经液化、蒸发处理后得到气态的置换配体,再通入所述的可密闭装置中。
6.如权利要求1所述的制备方法,其特征在于,
所述N层层叠的量子点薄膜中,2≤N≤5;和/或
每层所述量子点薄膜的厚度为2-80nm。
7.如权利要求1-5任一项所述的制备方法,其特征在于,所述可密闭装置内的总压为10-5~103Pa,所述置换配体的分压为10-4~102Pa。
8.如权利要求7所述的制备方法,其特征在于,所述气相配体置换的温度为5-200℃;和/或
所述气相配体置换的时间为0.5-360min。
9.一种白光量子点发光二极管,其特征在于,所述白光量子点发光二极管由权利要求1-8任一项所述的制备方法制得。
10.一种显示屏,其特征在于,包括权利要求1-8任一项所述方法制备的白光量子点发光二极管或权利要求9所述的白光量子点发光二极管。
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