[发明专利]一种镜片加工方法

权利要求书

1.一种镜片加工方法，其特征在于：所述加工方法包括以下步骤：

1）注塑成型：将熔融状态的PC料注入镜片成型模具中，固化成型后得到镜片基片；

2）一次清洗：采用工业洗洁精和纯水对上述镜片基片进行清洗，然后烘干；

3）加硬处理：将镜片基片浸入甲基硅树脂强化溶液中，加硬处理温度115-125℃，2小时后将镜片基片取出并送至烘干箱内干燥固化，烘干温度120℃，固化时间60分钟；

4）退火处理：将加硬处理后的镜片进行退火处理；

5）二次清洗：将退火处理后的镜片基片置于真空镀膜舱内，用霍尔离子源对镜片基片进行离子轰击3-5分钟；

6）镀AR膜：采用真空蒸镀的方式对二次清洗后的镜片基片镀AR膜。

2.根据权利要求1所述的一种镜片加工方法，其特征在于：步骤6）镀AR膜的具体步骤如下：

A、镀第一膜层：

将真空镀膜舱内的真空度调整至大于或等于5.0×10^-3帕，并控制真空镀膜舱内的温度为50-70℃，采用霍尔离子源轰击二氧化硅，二氧化硅蒸发后以纳米级分子形式沉积于镜片基片的外表面，同时控制第一膜层蒸镀的速率为7Å/S，第一膜层形成后的厚度为5-15nm，最终形成二氧化硅层；

B、镀第二膜层：

保持真空镀膜舱内的真空度大于或等于5.0×10^-3帕，同时保持真空镀膜舱内的温度为50-70℃，采用霍尔离子源轰击五氧化三钛，五氧化三钛蒸发后以纳米级分子形式沉积于第一膜层的外表面，同时控制第二膜层蒸镀的速率为2.5Å/S，第二膜层形成后的厚度为10-20nm，最终形成五氧化三钛层；

C、镀第三膜层：

保持真空镀膜舱内的真空度大于或等于5.0×10^-3帕，同时保持真空镀膜舱内的温度为50-70℃，采用霍尔离子源轰击二氧化硅，二氧化硅蒸发后以纳米级分子形式沉积于第二膜层的外表面，同时控制第三膜层蒸镀的速率为7Å/S，第三膜层形成后的厚度为20-50nm，最终形成二氧化硅层；

D、镀第四膜层：

保持真空镀膜舱内的真空度大于或等于5.0×10^-3帕，同时保持真空镀膜舱内的温度为50-70℃，采用霍尔离子源轰击五氧化三钛，五氧化三钛蒸发后以纳米级分子形式沉积于第三膜层的外表面，同时控制第四膜层蒸镀的速率为2.5Å/S，第四膜层形成后的厚度为60-100nm，最终形成五氧化三钛层；

E、镀第五膜层：

保持真空镀膜舱内的真空度大于或等于5.0×10^-3帕，同时保持真空镀膜舱内的温度为50-70℃，采用霍尔离子源轰击二氧化硅，二氧化硅蒸发后以纳米级分子形式沉积于第四膜层的外表面，同时控制第五膜层蒸镀的速率为7Å/S，第五膜层形成后的厚度为60-100nm，最终形成二氧化硅层。

3.根据权利要求1所述的一种镜片加工方法，其特征在于：所述退火处理的退火温度150-155℃，退火时间2-3h。