[发明专利]一种量子点薄膜的转印方法

说明书

本发明公开了一种量子点薄膜的转印方法，包括步骤：提供初始印章，所述初始印章的印面设有若干个初始凸型图案和若干个初始凸型图案之间的初始凹型图案；对所述初始印章的初始凹型图案进行表面处理；将经过表面处理的所述初始印章变形处理为印面平整的形变印章；在形变印章的印面上制备量子点初始薄膜；将印面制备有量子点初始薄膜的形变印章恢复成初始印章，形成印面初始凸型图案和初始凹型图案上具有量子点图案化薄膜的初始印章；将印面具有量子点图案化薄膜的初始印章与目标基底接触，使所述初始凸型图案上的量子点图案化薄膜转印于目标基底上。本发明解决了现有的的量子点薄膜转印方法易造成部分薄膜残留，导致转印图案有缺陷的问题。

技术领域

本发明涉及转印技术领域，尤其涉及一种量子点薄膜的转印方法。

背景技术

量子点具有发光颜色易于调节、色彩饱和度高、可溶液加工、高稳定性等诸多优点，被视为下一代显示技术的有力竞争者。在制备量子点薄膜时，旋涂法是最快捷简便且成膜质量好的加工方式，但旋涂法只能用于制备单色发光器件，而在制造全彩发光器件时，必须制备出图案化量子点薄膜。目前，图案化量子点的方法主要有喷墨打印、转印等方式，常规的转印过程是利用粘弹性体印章作为转移载体，利用动力学控制实现转印。转印过程具体包括两步，第一步是将量子点图案从供体基底转印到印章，第二步是将量子点图案从印章转印到目标基底。因为印章对薄膜的吸附属于物理吸附，其粘附能的大小与印章表面有关，所以第一步转印过程的完成需要量子点薄膜与印章的粘附能大于量子点薄膜与供体基底的粘附能，而第二步转印过程的完成需要量子点薄膜与印章的粘附能小于量子点薄膜与目标基底的粘附能。

目前可使用聚二甲基硅氧烷(PDMS)制作印章实现转印，因为聚二甲基硅氧烷具有较低表面能，可利用动力学控制其粘着力实现转印，但是由于供体基底与薄膜间粘附能较大，往往需要严苛的动力学参数(高剥离速度、大负载应力)才能完整实现第一步转印；也有使用新兴材料形状记忆聚合物(SMP)作为印章，虽然利用材料本身具有形变恢复的特点，能避免第一步转印过程，直接在SMP印章表面旋涂成膜，截取图案化薄膜转移到目标基底上，但是SMP材料表面能较大，在转印过程中，易造成部分薄膜残留，导致转印图案存在缺陷。

因此，现有技术还有待于改进和发展。

发明内容

鉴于上述现有技术的不足，本发明的目的在于提供一种量子点薄膜的转印方法，旨在解决现有的量子点薄膜转印方法易造成部分薄膜残留，导致转印图案有缺陷的问题。

本发明的技术方案如下：

一种量子点薄膜的转印方法，其中，包括步骤：

提供初始印章，所述初始印章的印面设有若干个初始凸型图案和若干个初始凸型图案之间的初始凹型图案；

对所述初始印章的初始凹型图案进行表面处理；

将经过表面处理的所述初始印章进行变形处理，使所述初始印章印面变形至平面，得到形变印章；

在形变印章的印面上制备量子点初始薄膜；

将印面制备有量子点初始薄膜的形变印章恢复成初始印章，形成印面初始凸型图案和初始凹型图案上具有量子点图案化薄膜的初始印章；

将印面具有量子点图案化薄膜的初始印章与目标基底接触，使所述初始凸型图案上的量子点图案化薄膜转印于目标基底上。

所述的量子点薄膜的转印方法，其中，所述表面处理为等离子体处理和/或UVO处理。

所述的量子点薄膜的转印方法，其中，所述初始印章的制备方法包括：

提供形状记忆聚合物前体、改性剂、固化剂和促进剂；

将所述形状记忆聚合物前体、所述改性剂、所述固化剂和所述促进剂混合后，反应得到改性形状记忆聚合物；