[发明专利]一种量子点薄膜的转印方法

权利要求书

1.一种量子点薄膜的转印方法，其特征在于，包括步骤：

提供初始印章，所述初始印章的印面设有若干个初始凸型图案和若干个初始凸型图案之间的初始凹型图案；

对所述初始印章的初始凹型图案进行表面处理，使所述初始凹型图案的表面能大于所述初始凸型图案的表面能；

将经过表面处理的所述初始印章进行变形处理，使所述初始印章印面变形至平面，得到形变印章；

在形变印章的印面上制备量子点初始薄膜；

将印面制备有量子点初始薄膜的形变印章恢复成初始印章，形成印面初始凸型图案和初始凹型图案上具有量子点图案化薄膜的初始印章；

将印面具有量子点图案化薄膜的初始印章与目标基底接触，使所述初始凸型图案上的量子点图案化薄膜转印于目标基底上。

2.根据权利要求1所述的量子点薄膜的转印方法，其特征在于，所述表面处理为等离子体处理和/或UVO处理。

3.根据权利要求1所述的量子点薄膜的转印方法，其特征在于，所述初始印章的制备方法包括：

提供形状记忆聚合物前体、改性剂、固化剂和促进剂；

将所述形状记忆聚合物前体、所述改性剂、所述固化剂和所述促进剂混合后，反应得到改性形状记忆聚合物；

将改性形状记忆聚合物加入到可形成所述初始印章的第一模具中，进行固化处理，得所述初始印章。

4.根据权利要求3所述的量子点薄膜的转印方法，其特征在于，所述形状记忆聚合物前体为环氧树脂；和/或

所述改性剂为聚二甲基硅氧烷；和/或

所述固化剂为聚氧化丙烯双胺；和/或

所述促进剂为癸胺。

5.根据权利要求4所述的量子点薄膜的转印方法，其特征在于，所述形状记忆聚合物前体、所述改性剂、所述固化剂和所述促进剂的摩尔比为：15～25:0.5～2:2～10:5～15。

6.根据权利要求1所述的量子点薄膜的转印方法，其特征在于，所述初始印章的制备方法包括：

提供软段形状记忆聚合物前体、改性剂、硬段形状记忆聚合物前体、扩链剂；

将所述软段形状记忆聚合物前体、所述改性剂、所述硬段形状记忆聚合物前体、所述扩链剂混合后，反应得到改性形状记忆聚合物；

将改性形状记忆聚合物加入到可形成所述初始印章的第一模具中，进行固化处理，得所述初始印章。

7.根据权利要求6所述的量子点薄膜的转印方法，其特征在于，所述软段形状记忆聚合物前体为环氧树脂；和/或

所述改性剂为聚二甲基硅氧烷；和/或

所述硬段形状记忆聚合物前体为异氰酸酯；和/或

所述扩链剂为1,4-丁二醇。

8.根据权利要求7所述的量子点薄膜的转印方法，其特征在于，所述软段形状记忆聚合物前体、所述改性剂、所述硬段形状记忆聚合物前体、所述扩链剂的摩尔比为：

5～15:0.5～2:10～20:1～10。

9.根据权利要求3-8任一所述的量子点薄膜的转印方法，其特征在于，所述改性形状记忆聚合物为热致型形状记忆聚合物，所述热致型形状记忆聚合物的玻璃化温度Tg≤150℃。

10.根据权利要求9所述的量子点薄膜的转印方法，其特征在于，所述将经过表面处理的所述初始印章进行变形处理，使所述初始印章印面变形至平面，得到形变印章的步骤包括：将所述初始印章的印面朝下、且置入可形成所述形变印章的第二模具中；

加热至温度大于所述玻璃化温度Tg，均匀施压使所述印面的初始凸型图案和初始凹型图案变形至平面；

冷却至温度小于所述玻璃化温度Tg，得所述形变印章。

11.根据权利要求9所述的量子点薄膜的转印方法，其特征在于，所述将印面制备有量子点初始薄膜的形变印章恢复成初始印章的步骤包括：对所述形变印章加热处理至温度大于所述玻璃化温度Tg，小于所述改性形状记忆聚合物的粘流温度。