[发明专利]一种抑制晶体硅电池光致衰减的方法

说明书

本申请公开了一种抑制晶体硅电池光致衰减的方法，包括：在制绒后的硅片上均匀分布具有预设浓度的有机物溶液；烘干所述硅片；在惰性气体气氛中，对所述硅片进行退火，将所述有机物溶液中的碳原子分解出来并扩散进所述硅片内。上述抑制晶体硅电池光致衰减的方法，能够抑制硼氧对的生成，降低太阳能电池片的光致衰减幅度。

技术领域

本发明属于光伏设备技术领域，特别是涉及一种抑制晶体硅电池光致衰减的方法。

背景技术

目前，掺硼P型晶体硅太阳电池是占据光伏市场70％以上的产品。然而，该种太阳能电池在使用的时候会出现效率下降的现象，该现象被称之为光致衰减(Light-induceddegradation：LID)，多晶电池衰减比例相对为2％至3％，而单晶衰减比例可达3％至5％。光致衰减是由硅中的B-O对(硼氧对)造成的，该B-O对极易俘获少子，使得少子寿命下降，导致电池转换效率下降，即光致衰减现象。

为了改善光致衰减问题，可以在硅片端降低硼或氧的浓度，从而降低B与O结合成复合体的概率，以达到减小光致衰减的幅度，比如铸造硅片的过程中采用区熔法来降低硅片中的氧含量，或者改用掺Ga替代掺B来减少硼含量，但会大幅增加生产成本，不利于规模化生产，另外在晶体硅中掺杂硅的同族元素也能够抑制其光致衰减，比如掺碳元素，而碳的分凝系数远小于1，导致碳原子在铸锭过程中分布不均匀，从而影响了各区域硅片的光衰减幅度不一，实用性大大降低。

发明内容

为解决上述问题，本发明提供了一种抑制晶体硅电池光致衰减的方法，能够抑制硼氧对的生成，降低太阳能电池片的光致衰减幅度。

本发明提供的一种抑制晶体硅电池光致衰减的方法，包括：

在制绒后的硅片上均匀分布具有预设浓度的有机物溶液；

烘干所述硅片；

在惰性气体气氛中，对所述硅片进行退火，将所述有机物溶液中的碳原子分解出来并扩散进所述硅片内。

优选的，在上述抑制晶体硅电池光致衰减的方法中，所述有机物溶液为葡萄糖溶液。

优选的，在上述抑制晶体硅电池光致衰减的方法中，所述预设浓度的范围为0.5mol/L至1.0mol/L。

优选的，在上述抑制晶体硅电池光致衰减的方法中，所述烘干所述硅片为：

在100℃至150℃的温度下，烘干所述硅片，持续5分钟至10分钟。

优选的，在上述抑制晶体硅电池光致衰减的方法中，所述惰性气体为氮气。

优选的，在上述抑制晶体硅电池光致衰减的方法中，所述对所述硅片进行退火包括：

在300℃至400℃的温度下，对所述硅片进行第一次退火，持续5分钟至10分钟；

在400℃至500℃的温度下，对所述硅片进行第二次退火，持续20分钟至30分钟。

通过上述描述可知，本发明提供的上述抑制晶体硅电池光致衰减的方法，由于包括在制绒后的硅片上均匀分布具有预设浓度的有机物溶液；烘干所述硅片；在惰性气体气氛中，对所述硅片进行退火，将所述有机物溶液中的碳原子分解出来并扩散进所述硅片内，因此能够抑制硼氧对的生成，降低太阳能电池片的光致衰减幅度。

附图说明

为了更清楚地说明本发明实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据提供的附图获得其他的附图。

图1为本申请实施例提供的第一种抑制晶体硅电池光致衰减的方法的示意图。

具体实施方式