[发明专利]一种抑制晶体硅电池光致衰减的方法在审
| 申请号： | 201711352636.2 | 申请日： | 2017-12-15 |
| 公开（公告）号： | CN108110085A | 公开（公告）日： | 2018-06-01 |
| 发明（设计）人： | 何广东;金井升;张昕宇;金浩;赵世杰 | 申请（专利权）人： | 浙江晶科能源有限公司;晶科能源有限公司 |
| 主分类号： | H01L31/18 | 分类号： | H01L31/18;H01L21/228 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 罗满 |
| 地址： | 314416 浙江*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 光致衰减 硅片 晶体硅电池 有机物溶液 退火 惰性气体气氛 太阳能电池片 碳原子 烘干 硼氧 预设 制绒 分解 扩散 申请 | ||
【权利要求书】：
1.一种抑制晶体硅电池光致衰减的方法，其特征在于，包括：
在制绒后的硅片上均匀分布具有预设浓度的有机物溶液；
烘干所述硅片；
在惰性气体气氛中，对所述硅片进行退火，将所述有机物溶液中的碳原子分解出来并扩散进所述硅片内。
2.根据权利要求1所述的抑制晶体硅电池光致衰减的方法，其特征在于，所述有机物溶液为葡萄糖溶液。
3.根据权利要求1所述的抑制晶体硅电池光致衰减的方法，其特征在于，所述预设浓度的范围为0.5mol/L至1.0mol/L。
4.根据权利要求1所述的抑制晶体硅电池光致衰减的方法，其特征在于，所述烘干所述硅片为：
在100℃至150℃的温度下，烘干所述硅片，持续5分钟至10分钟。
5.根据权利要求1所述的抑制晶体硅电池光致衰减的方法，其特征在于，所述惰性气体为氮气。
6.根据权利要求1-5任一项所述的抑制晶体硅电池光致衰减的方法，其特征在于，所述对所述硅片进行退火包括：
在300℃至400℃的温度下，对所述硅片进行第一次退火，持续5分钟至10分钟；
在400℃至500℃的温度下，对所述硅片进行第二次退火，持续20分钟至30分钟。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
