[发明专利]阵列基板及其制备方法、触控显示面板有效
申请号: | 201711352621.6 | 申请日: | 2017-12-15 |
公开(公告)号: | CN108110010B | 公开(公告)日: | 2021-10-01 |
发明(设计)人: | 武新国;王凤国;史大为;刘弘;王子峰;李峰;马波;郭志轩;李元博;赵晶;段岑鸿;梁海琴 | 申请(专利权)人: | 京东方科技集团股份有限公司;鄂尔多斯市源盛光电有限责任公司 |
主分类号: | H01L27/12 | 分类号: | H01L27/12;H01L21/77;G06F3/041;G06F3/044 |
代理公司: | 北京安信方达知识产权代理有限公司 11262 | 代理人: | 曲鹏;张京波 |
地址: | 100015 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 阵列 及其 制备 方法 显示 面板 | ||
本发明提供了一种阵列基板及其制备方法、触摸显示面板。阵列基板包括传输显示信号的第一电极和第二电极,以及传输触控信号的触控线,所述第一电极和触控线分别设置在不同层中且在基底上的正投影存在重叠。本发明通过将第一电极和触控线分设在不同层中且在基底上的正投影存在重叠,减小了不透光的布线面积,增加了透光区域,最大限度地提高了开口率,进而提升了亮度。同时,利用第一电极作为遮光结构,减少了遮光层的面积,不仅进一步增加了透光区域,而且有效避免了制备中对位精度等因素造成的显示不良,提高了良品率。
技术领域
本发明涉及显示技术领域,具体涉及一种阵列基板及其制备方法、触控显示面板。
背景技术
随着显示技术的飞速发展,触摸面板(Touch Panel)已经逐渐遍及人们的生活中。触摸面板按照组成结构可以分为外挂式(Add on Mode)、覆盖表面式(On Cell)、内嵌式(InCell)等。其中,内嵌式触摸面板是将触摸模组的触控电极内嵌在显示模组内部,将显示与触控合二为一,不仅大大减小了模组整体厚度,产品更轻薄,而且大大降低了制作成本。目前,内嵌式触控面板中,自容式触控面板已逐渐成为主流的触控面板。
自容式触摸面板是在现有的薄膜晶体管(Thin Film Transistor,TFT)阵列基板上直接增加触控电极和触控线,采用分时驱动的工作方式,一帧有效时间被划分为显示时段(Display Time)和触控时段(Touch Time),两个时段的驱动信号分开处理。在显示时段内,触控电极复用为公共电极,触控线复用为公共电极线,触控线向触控电极提供公共电压信号,不进行触控信号扫描,而在触控时段内,通过触控线进行触控信号扫描,两者分时独立工作。
虽然自容式触摸面板具有结构简单、易于实现等优点,但也存在开口率较低的缺陷。近年来,高亮度显示逐渐成为触摸面板的主要发展趋势,而现有自容式触摸面板较低的开口率,严重制约了触摸面板的亮度提升。因此,如何提高自容式触摸面板的开口率,是本领域亟待解决的技术问题。
发明内容
本发明实施例所要解决的技术问题是,提供一种阵列基板及其制备方法、触摸显示面板,以克服现有触摸面板开口率较低的缺陷。
为了解决上述技术问题,本发明实施例提供了一种阵列基板,包括传输显示信号的第一电极和第二电极,以及传输触控信号的触控线,所述第一电极和触控线分别设置在不同层中且在基底上的正投影存在重叠。
可选地,所述触控线在基底上的正投影位于所述第一电极在基底上的正投影之内,或者所述第一电极在基底上的正投影位于所述触控线在基底上的正投影之内。
可选地,所述第二电极和触控线同层设置,或所述第二电极和第一电极同层设置。
可选地,所述触控线还用于传输公共电压信号。
可选地,还包括缓冲层、有源层、栅绝缘层、栅电极和层间绝缘层中的至少一种;所述第一电极设置在基底上,所述缓冲层覆盖所述第一电极,所述有源层设置在所述缓冲层上,通过所述缓冲层上开设的过孔与所述第一电极连接,所述栅绝缘层覆盖所述有源层,所述栅电极设置在所述栅绝缘层上,所述层间绝缘层覆盖所述栅电极,所述第二电极和触控线设置在所述层间绝缘层上,所述第二电极通过所述层间绝缘层上开设的过孔与所述有源层连接。
可选地,还包括遮光层,所述遮光层和第一电极同层设置。
可选地,还包括平坦层、触控电极、钝化层和像素电极中的至少一种;所述第二电极和触控线上覆盖所述平坦层,所述触控电极设置在所述平坦层上,通过所述平坦层上开设的过孔与所述触控线连接,所述钝化层覆盖所述触控电极,所述像素电极设置在所述钝化层上,通过贯穿所述钝化层和平坦层的过孔与所述第二电极连接;或者,所述第二电极和触控线上覆盖所述钝化层,所述像素电极设置在所述钝化层上,通过所述钝化层上开设的过孔与所述第二电极连接,所述平坦层覆盖所述像素电极,所述触控电极设置在所述平坦层上,通过贯穿所述平坦层和钝化层的过孔与所述触控线连接。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的