[发明专利]阵列基板及其制备方法、触控显示面板有效
申请号: | 201711352621.6 | 申请日: | 2017-12-15 |
公开(公告)号: | CN108110010B | 公开(公告)日: | 2021-10-01 |
发明(设计)人: | 武新国;王凤国;史大为;刘弘;王子峰;李峰;马波;郭志轩;李元博;赵晶;段岑鸿;梁海琴 | 申请(专利权)人: | 京东方科技集团股份有限公司;鄂尔多斯市源盛光电有限责任公司 |
主分类号: | H01L27/12 | 分类号: | H01L27/12;H01L21/77;G06F3/041;G06F3/044 |
代理公司: | 北京安信方达知识产权代理有限公司 11262 | 代理人: | 曲鹏;张京波 |
地址: | 100015 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 阵列 及其 制备 方法 显示 面板 | ||
1.一种阵列基板,包括传输显示信号的第一电极和第二电极,传输触控信号的触控线,与所述第一电极同层设置的遮光层,以及栅电极;其特征在于,所述第一电极和触控线分别设置在不同层中且在基底上的正投影存在重叠;所述第一电极为作为遮光结构的源电极,所述源电极与数据线为一体结构,所述栅电极在基底上的正投影与所述源电极和遮光层在基底上的正投影存在重叠,所述触控线在基底上的正投影位于所述源电极和数据线在基底上的正投影之内。
2.根据权利要求1所述的阵列基板,其特征在于,所述第二电极和触控线同层设置,或所述第二电极和第一电极同层设置。
3.根据权利要求1所述的阵列基板,其特征在于,所述触控线还用于传输公共电压信号。
4.根据权利要求1~3任一所述的阵列基板,其特征在于,还包括缓冲层、有源层、栅绝缘层、栅电极和层间绝缘层中的至少一种;
所述第一电极设置在基底上,所述缓冲层覆盖所述第一电极,所述有源层设置在所述缓冲层上,通过所述缓冲层上开设的过孔与所述第一电极连接,所述栅绝缘层覆盖所述有源层,所述栅电极设置在所述栅绝缘层上,所述层间绝缘层覆盖所述栅电极,所述第二电极和触控线设置在所述层间绝缘层上,且所述第二电极通过所述层间绝缘层上开设的过孔与所述有源层连接。
5.根据权利要求1~3任一所述的阵列基板,其特征在于,还包括平坦层、触控电极、钝化层和像素电极中的至少一种;
所述第二电极和触控线上覆盖所述平坦层,所述触控电极设置在所述平坦层上,通过所述平坦层上开设的过孔与所述触控线连接,所述钝化层覆盖所述触控电极,所述像素电极设置在所述钝化层上,并通过贯穿所述钝化层和平坦层的过孔与所述第二电极连接;
或者,
所述第二电极和触控线上覆盖所述钝化层,所述像素电极设置在所述钝化层上,通过所述钝化层上开设的过孔与所述第二电极连接,所述平坦层覆盖所述像素电极,所述触控电极设置在所述平坦层上,并通过贯穿所述平坦层和钝化层过孔与所述触控线连接。
6.一种触控显示面板,其特征在于,包括如权利要求1~5任一所述的阵列基板。
7.一种阵列基板的制备方法,其特征在于,包括:
在基底上形成用于传输显示信号的第一电极和第二电极,用于传输触控信号的触控线,与所述第一电极同层设置的遮光层,以及栅电极;所述第一电极和触控线分别在不同层中形成且在基底上的投影存在重叠;所述第一电极为作为遮光结构的源电极,所述源电极与数据线为一体结构,所述栅电极在基底上的正投影与所述源电极和遮光层在基底上的正投影存在重叠,所述触控线在基底上的正投影位于所述源电极和数据线在基底上的正投影之内。
8.根据权利要求7所述的制备方法,其特征在于,所述第二电极和触控线同层设置,或所述第二电极和第一电极同层设置。
9.根据权利要求7所述的制备方法,其特征在于,所述触控线还用于传输公共电压信号。
10.根据权利要求7~9任一所述的制备方法,其特征在于,在基底上分别形成用于传输显示信号的第一电极和第二电极,以及用于传输触控信号的触控线,包括:
在基底上形成所述第一电极;
形成覆盖所述第一电极且具有第一过孔的缓冲层;
在所述缓冲层上形成有源层,所述有源层通过所述第一过孔与所述第一电极连接;
形成覆盖所述有源层的栅绝缘层,在所述栅绝缘层上形成栅电极;
形成覆盖所述栅电极且具有第二过孔的层间绝缘层;
在所述层间绝缘层上形成所述第二电极和触控线,所述第二电极通过所述第二过孔与所述有源层连接。
11.根据权利要求7~9任一所述的制备方法,其特征在于,还包括:
形成覆盖所述第二电极和触控线且具有第三过孔的平坦层,
在所述平坦层上形成触控电极,所述触控电极通过所述第三过孔与所述触控线连接,
形成覆盖所述触控电极的钝化层,并形成贯穿所述钝化层和所述平坦层的第四过孔;
在所述钝化层上形成像素电极,所述像素电极通过所述第四过孔与所述第二电极连接;
或者,
形成覆盖所述第二电极和触控线且具有第四过孔的钝化层,
在所述钝化层上形成像素电极,所述像素电极通过所述第四过孔与第二电极连接,
形成覆盖所述像素电极的平坦层,并形成贯穿所述平坦层和钝化层的第三过孔,
在所述平坦层上形成触控电极,所述触控电极通过所述第三过孔与所述触控线连接。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于京东方科技集团股份有限公司;鄂尔多斯市源盛光电有限责任公司,未经京东方科技集团股份有限公司;鄂尔多斯市源盛光电有限责任公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的