[发明专利]基于BJT的系统级封装抗静电转接板

权利要求书

1.一种基于BJT的系统级封装抗静电转接板(100)，其特征在于，包括：硅基衬底(101)、第一TSV孔(102)、第二TSV孔(103)、第一BJT(104)、第二BJT(105)、隔离沟槽(106)、金属互连线(107)、凸点(108)及钝化层(109)；

所述第一TSV孔(102)、第一BJT(104)、第二TSV孔(103)及第二BJT(105)沿横向依次间隔地设置于所述硅基衬底(101)中；

所述隔离沟槽(106)分别设置于所述第一BJT(104)与第二BJT(105)四周；

所述第一TSV孔、所述第二TSV孔与所述隔离沟槽的深度一致；

所述金属互连线(107)设置于所述第一TSV孔(102)、第一BJT(104)、第二TSV孔(103)及第二BJT(105)表面以使所述第一TSV孔(102)、第一BJT(104)、第二TSV孔(103)及第二BJT(105)形成串行连接，所述金属互连线围绕成螺旋状；

所述凸点(108)设置于所述第一TSV孔(102)与所述第二BJT(105)下表面；

所述钝化层(109)设置于所述硅基衬底(101)上下表面；

所述第一BJT(104)与第二BJT(105)的基区掺杂浓度为6×1017cm-3～1×1019cm-3、发射区掺杂浓度为6×1020cm-3～3×1021cm-3、集电区的掺杂浓度为3×1018cm-3～5×1019cm-3；

其中，所述硅基衬底(101)在所述金属互连线制备完成后，采用机械磨削工艺进行减薄处理，以在所述硅基衬底(101)底部露出所述第一TSV孔(102)、所述第二TSV孔(103)、所述隔离沟槽(106)、所述第一BJT(104)以及所述第二BJT(105)，处理后的厚度为300～400μm。

2.根据权利要求1所述的转接板(100)，其特征在于，所述硅基衬底(101)的掺杂浓度为1×10¹⁴～1×10¹⁷cm^-3。

3.根据权利要求1所述的转接板(100)，其特征在于，所述第一TSV孔(102)与第二TSV孔(103)中填充铜材料。

4.根据权利要求1所述的转接板(100)，其特征在于，所述金属互连线(107)为铜材料。

5.根据权利要求1所述的转接板(100)，其特征在于，所述凸点(108)为铜材料。

6.根据权利要求1所述的转接板(100)，其特征在于，所述钝化层(109)为二氧化硅材料。