[发明专利]一种P型太阳能电池及其制作方法

说明书

本申请提供一种P型太阳能电池及其制作方法，所述P型太阳能电池包括衬底、位于衬底绒面结构上的钝化接触结构。本发明中在太阳能电池的正面结构上还设置了钝化接触结构，所述钝化接触结构能够阻挡衬底内的少子向太阳能电池正面的表面进行移动，同时能够通过多子，从而提高了少子寿命，提升了P型晶硅太阳能电池的开路电压，并且由于钝化接触结构的存在，能够降低PERC太阳能电池正面的金属电极与非金属衬底的接触复合，进一步提升了太阳能电池的转换效率。

技术领域

本发明涉及太阳能电池制作技术领域，尤其涉及一种P型太阳能电池及其制作方法。

背景技术

现有的P型PERC(Passivated emitter and rear contact，钝化发射极和背接触)电池通过在电池背面采用Al2O3钝化，降低电池背表面的光生载流子复合，大幅提升电池的转换效率。

但是，现有的P型PERC太阳能电池的转换效率还有很大的提升空间，因此，如何进一步提升P型PERC太阳能电池的转换效率成为亟待解决的问题。

发明内容

有鉴于此，本发明提供一种P型太阳能电池及其制作方法，以解决现有技术中P型PERC太阳能电池的转换效率依然较低的问题。

为实现上述目的，本发明提供如下技术方案：

一种P型太阳能电池，包括：

衬底，所述衬底包括相对设置的正面和背面，所述正面包括绒面结构；

位于所述绒面结构上的钝化接触结构；

位于所述钝化接触结构背离所述衬底表面的氮化硅层；

正面电极，所述正面电极贯穿所述氮化硅层，并与所述钝化接触结构接触；

位于所述背面的背面结构。

优选地，所述钝化接触结构包括：

位于所述绒面结构背离所述衬底表面的隧道氧化层；

位于所述隧道氧化层背离所述衬底表面的多晶硅薄膜。

优选地，所述隧道氧化层为氧化硅层。

优选地，所述隧道氧化层的厚度范围为1nm-10nm，包括端点值。

优选地，所述多晶硅薄膜为掺杂磷的多晶硅薄膜。

优选地，所述多晶硅薄膜的厚度范围为5nm-70nm，包括端点值。

本发明还提供一种P型太阳能电池制作方法，用于形成上面任意一项所述的P型太阳能电池，所述制作方法包括：

提供衬底，所述衬底包括相对设置的正面和背面；

制绒，将所述正面形成绒面结构；

在所述绒面结构上制作形成钝化接触结构；

在所述背面上制作背面结构中的叠层结构；

在所述钝化接触结构上制作氮化硅层；

采用激光开槽技术在所述叠层结构上开孔；

印刷背面电极；

制作正面电极；

进行烧结。

优选地，所述钝化接触结构包括：

位于所述绒面结构背离所述衬底表面的隧道氧化层；

位于所述隧道氧化层背离所述衬底表面的多晶硅薄膜。