[发明专利]一种P型太阳能电池及其制作方法

权利要求书

1.一种P型太阳能电池，其特征在于，包括：

衬底，所述衬底包括相对设置的正面和背面，所述正面包括绒面结构；

位于所述绒面结构上的钝化接触结构；

位于所述钝化接触结构背离所述衬底表面的氮化硅层；

正面电极，所述正面电极贯穿所述氮化硅层，并与所述钝化接触结构接触；

位于所述背面的背面结构。

2.根据权利要求1所述的P型太阳能电池，其特征在于，所述钝化接触结构包括：

位于所述绒面结构背离所述衬底表面的隧道氧化层；

位于所述隧道氧化层背离所述衬底表面的多晶硅薄膜。

3.根据权利要求2所述的P型太阳能电池，其特征在于，所述隧道氧化层为氧化硅层。

4.根据权利要求3所述的P型太阳能电池，其特征在于，所述隧道氧化层的厚度范围为1nm-10nm，包括端点值。

5.根据权利要求2所述的P型太阳能电池，其特征在于，所述多晶硅薄膜为掺杂磷的多晶硅薄膜。

6.根据权利要求5所述的P型太阳能电池，其特征在于，所述多晶硅薄膜的厚度范围为5nm-70nm，包括端点值。

7.一种P型太阳能电池制作方法，其特征在于，用于形成权利要求1-6任意一项所述的P型太阳能电池，所述制作方法包括：

提供衬底，所述衬底包括相对设置的正面和背面；

制绒，将所述正面形成绒面结构；

在所述绒面结构上制作形成钝化接触结构；

在所述背面上制作背面结构中的叠层结构；

在所述钝化接触结构上制作氮化硅层；

采用激光开槽技术在所述叠层结构上开孔；

印刷背面电极；

制作正面电极；

进行烧结。

8.根据权利要求7所述的P型太阳能电池，其特征在于，所述钝化接触结构包括：

位于所述绒面结构背离所述衬底表面的隧道氧化层；

位于所述隧道氧化层背离所述衬底表面的多晶硅薄膜。

9.根据权利要求8所述的P型太阳能电池，其特征在于，所述在所述绒面结构上制作形成钝化接触结构，具体包括：

在所述绒面结构背离所述衬底的表面制作所述隧道氧化层；

在所述隧道氧化层背离所述衬底的表面制作所述多晶硅薄膜。