[发明专利]一种发光二极管芯片的拾取装置在审
申请号: | 201711350437.8 | 申请日: | 2017-12-15 |
公开(公告)号: | CN108281373A | 公开(公告)日: | 2018-07-13 |
发明(设计)人: | 郑水锋;叶青贤;赵鹏 | 申请(专利权)人: | 华灿光电(浙江)有限公司 |
主分类号: | H01L21/673 | 分类号: | H01L21/673;H01L21/683;H01L21/66 |
代理公司: | 北京三高永信知识产权代理有限责任公司 11138 | 代理人: | 徐立 |
地址: | 322000 浙江省金华市义*** | 国省代码: | 浙江;33 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 顶针 拾取装置 真空吸嘴 发光二极管芯片 传感器组件 拾取机构 摆臂 顶针机构 转台 安装套 拾取 检测 光电技术领域 活动设置 使用寿命 压力顶针 压力控制 一端设置 受损 移动 力量 | ||
本发明公开了一种发光二极管芯片的拾取装置,属于光电技术领域。该拾取装置包括拾取机构和顶针机构,拾取机构包括摆臂和转台,摆臂的一端与转台连接,摆臂的另一端设置有真空吸嘴,顶针机构包括顶针安装套和顶针,顶针活动设置在顶针安装套内,拾取机构还包括传感器组件,传感器组件用于在拾取发光二极管芯片时检测顶针对真空吸嘴的压力,在拾取LED芯片时,可以由传感器组件检测顶针对真空吸嘴的压力,从而可以便于根据检测到的压力控制顶针的移动,避免由于压力顶针力量过大导致的LED芯片、真空吸嘴和顶针的受损,有利于提高拾取装置的使用寿命。
技术领域
本发明涉及光电技术领域,特别涉及一种发光二极管芯片的拾取装置。
背景技术
发光二极管(英文:Light Emitting Diode,简称:LED)作为光电子产业中极具影响力的新产品,具有体积小、使用寿命长、颜色丰富多彩、能耗低等特点,广泛应用于照明、显示屏、信号灯、背光源、玩具等领域。
LED芯片在制作完成后,多个LED芯片阵列粘贴在蓝膜上,需要通过拾取装置逐个将LED芯片从蓝膜上取下。LED芯片的拾取装置主要包括顶针和摆臂,摆臂的一端固定在一个转台上,摆臂可以在一定角度范围内往复摆动,摆臂的另一端设置有一个真空吸嘴,在进行LED芯片的拾取时,可以转动摆臂,使真空吸嘴正对一个LED芯片,再通过顶针刺破蓝膜顶起LED芯片,使LED芯片与真空吸嘴接触,然后通过真空吸嘴吸附住LED芯片,转动摆臂,将LED芯片转移至目标位置。
由于顶针在顶起LED芯片时力量较难控制,容易导致LED芯片受损,同时由于顶针和吸嘴的尺寸都很小(直径很细),如果力量过大,顶针和吸嘴可能出现变形,导致损坏,降低拾取装置的使用寿命。
发明内容
为了解决现有拾取装置容易导致LED芯片受损,容易损坏真空吸嘴和顶针的问题,本发明实施例提供了一种发光二极管芯片的拾取装置。所述技术方案如下:
本发明实施例提供了一种发光二极管芯片的拾取装置,所述拾取装置包括支撑平台、拾取机构和顶针机构,所述拾取机构包括摆臂和转台,所述转台设置在所述支撑平台上,所述摆臂的一端与所述转台连接,所述摆臂的另一端设置有真空吸嘴,所述真空吸嘴朝向所述支撑平台设置,所述顶针机构设置在所述支撑平台上,所述顶针机构包括顶针安装套和顶针,所述顶针活动设置在所述顶针安装套内,所述顶针垂直于所述支撑平台,在垂直于所述支撑平台的方向上,所述顶针与所述真空吸嘴间隔设置,且所述顶针位于所述真空吸嘴在所述支撑平台上的正投影的运动轨迹上,
其特征在于,所述拾取机构还包括传感器组件和控制机构,所述传感器组件用于在拾取发光二极管芯片时检测所述顶针对所述真空吸嘴的压力,所述控制机构用于当所述传感器组件检测到的压力值达到设定值时控制所述顶针退回所述顶针安装套。
可选地,所述传感器组件包括压力传感器和安装支架,所述安装支架固定在所述转台上,所述安装支架、所述摆臂和所述真空吸嘴沿所述转台的轴线方向依次排布,所述压力传感器设置在所述安装支架上。
可选地,所述安装支架上设置有导向杆,所述压力传感器设置在所述导向杆上,所述传感器组件还包括弹簧,所述弹簧套设在所述导向杆上,所述弹簧的一端与所述压力传感器接触,所述弹簧的另一端与所述摆臂接触。
可选地,所述摆臂与所述转台之间弹性连接。
可选地,所述拾取机构还包括弹性块,所述摆臂的一端与所述弹性块固定连接,所述弹性块与所述转台固定连接。
可选地,所述压力传感器为微压力传感器。
可选地,所述转台上设置有安装板,所述安装支架包括悬臂,所述悬臂的一端与所述摆臂的一端间隔设置在所述安装板的同一面上,且所述摆臂位于所述真空吸嘴和所述悬臂之间,所述压力传感器设置在所述悬臂的另一端。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于华灿光电(浙江)有限公司,未经华灿光电(浙江)有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201711350437.8/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造