[发明专利]一种正负离子发生器控制电路

权利要求书

1.一种正负离子发生器控制电路，其特征在于，包括依次连接的正负自动切换滤波电路、抗干扰电路、高频振荡电路、升压电路和高压电路，所述正负自动切换滤波电路包括交流或直流输入端、保险丝、整流芯片、滤波电容C4、稳压管D1、发光二极管和电阻R1，所述抗干扰电路包括抗干扰芯片，所述高频振荡电路采用无稳态多谐振荡电路，所述升压电路包括变压器T1。

2.如权利要求1所述的正负离子发生器控制电路，其特征在于，所述交流或直流输入端与整流芯片的1脚和3脚连接，所述交流或直流输入端和整流芯片的1脚之间串接所述保险丝，所述滤波电容C4一端接整流芯片的2脚，另一端接整流芯片的4脚，所述滤波电容C4和稳压管D1并联连接，所述电阻R1和发光二极管串联连接后与所述稳压管D1并联连接。

3.如权利要求2所述的正负离子发生器控制电路，其特征在于，所述无稳态多谐振荡电路包括电阻R3、电阻R2、电容C1、电容C2、电容C3和三极管Q1，所述电阻R2和电容C2并联连接后一端和抗干扰芯片的5脚连接，另一端和抗干扰芯片的7脚连接，所述电阻R3一端和抗干扰芯片的5脚连接，另一端和三极管Q1的基极连接，所述电容C1一端和三极管Q1的基极连接，另一端接供电端，所述三极管Q1的集电极和电容C3一端连接，所述电容C3另一端接供电端，所述三极管Q1的发射极接供电端。

4.如权利要求2所述的正负离子发生器控制电路，其特征在于，所述无稳态多谐振荡电路包括电感L1、电阻R21、电阻R31、电容C21、电容C11、三极管Q11、三极管Q21和电感L2，所述电感L1一端接抗干扰芯片的6脚，另一端接电阻R21，所述电阻R21的另一端接三极管Q11的基电极，所述电容C21一端接抗干扰芯片的7脚，另一端接三极管Q11的基电极，所述电容C31一端接抗干扰芯片的5脚，另一端接电阻R31，所述电阻R31的另一端接所述电感L1和所述电阻R21的连接点，所述三极管Q11的发射极和三极管Q21的发射极连接，所述三极管Q11的集电极接电容C11的一端，所述电容C11的另一端接三极管Q21的集电极，所述三极管Q21的基电极连接所述电容C31和所述电阻R31的连接点。

5.如权利要求1-4任意一项所述的正负离子发生器控制电路，其特征在于，所述高压电路包括二极管D3、二极管D4、二极管D5、二极管D6和电容C5，所述二极管D3和二极管D5串联连接，所述二极管D4和二极管D6串联连接，所述变压器T1一端接所述二极管D3和二极管D5串联连接点，另一端接所述二极管D4和二极管D6串联连接点，所述二极管D4和二极管D6串联连接后和所述电容C5并联连接。

6.如权利要求1-4任意一项所述的正负离子发生器控制电路，其特征在于，所述高压电路包括二极管D3、二极管D4、电容C5和电容C6，所述二极管D3和所述电容C5串联连接后接所述变压器T1的两端，所述二极管D4和所述电容C6串联连接后接所述变压器T1的两端。

7.如权利要求1-4任意一项所述的正负离子发生器控制电路，其特征在于，所述高压电路包括二极管D3和电容C5，所述二极管D3和所述电容C5串联连接后接所述变压器T1的两端。