[发明专利]半导体器件及其制造方法

权利要求书

1.一种半导体器件，包括：

非易失性存储器单元，形成在衬底的存储器单元区中，其中，所述非易失性存储器单元包括浮置栅极图案和位于所述浮置栅极图案上方的控制栅极，所述浮置栅极图案的两侧延伸超出所述控制栅极；

第一电路，形成在所述衬底的第一电路区中；以及

第二电路，形成在所述衬底的第二电路区中；

其中，从截面图观察，在所述第一电路区中形成所述衬底的表面的第一器件位于比在所述第二电路区中形成所述衬底的表面的第二器件更低的层级处，

第三电路，形成在第三电路区中；以及

隔离层，在所述衬底中从所述存储器单元区延伸至所述第一电路区，其中，所述隔离层的靠近所述存储器单元区的第一部分具有倾斜的顶面并且所述隔离层的靠近所述第一电路区的第二部分具有凹进的顶面，使得所述隔离层的高度在从所述存储器单元区至所述第一电路区的方向上先增大后减小，

其中，从截面图中观察，在所述第二电路区中形成所述衬底的表面的所述第二器件位于比在所述第三电路区中形成所述衬底的表面的第三器件更低的层级面处。

2.根据权利要求1所述的半导体器件，其中：

所述第一电路包括具有第一栅极介电层的第一场效应晶体管(FET)，

所述第二电路包括具有第二栅极介电层的第二场效应晶体管，以及

所述第一栅极介电层的厚度大于所述第二栅极介电层的厚度。

3.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述第一电路的操作电压高于所述第二电路的操作电压。

4.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，从截面图观察，在所述存储器单元区中形成所述衬底的表面的存储器单元位于比在所述第一电路区中形成所述衬底的表面的所述第一器件更低的层级处。

5.根据权利要求2所述的半导体器件，其中，所述非易失性存储器单元包括还包括位于所述浮置栅极图案和所述控制栅极的堆叠件之间的擦除栅极，其中，邻近所述擦除栅极的间隔件的宽度大于邻近所述浮置栅极图案和所述控制栅极的堆叠件的间隔件的宽度。

6.根据权利要求5所述的半导体器件，其中，所述第二电路的操作电压高于所述第三电路的操作电压。

7.根据权利要求5所述的半导体器件，其中，沿着所述衬底的表面以所述存储器单元区、所述第一电路区、所述第二电路区和所述第三电路区的顺序布置所述存储器单元区、所述第一电路区、所述第二电路区和所述第三电路区。

8.根据权利要求5所述的半导体器件，其中：

所述第三电路包括具有第三栅极介电层的第三场效应晶体管，以及

所述第二栅极介电层的厚度大于所述第三栅极介电层的厚度。

9.根据权利要求8所述的半导体器件，其中：

所述第一栅极介电层包括氧化硅层和从由氮氧化硅、氧化铪和氧化锌构成的组中选择的至少一种制成的层，以及

所述第二栅极介电层和所述第三栅极介电层由氧化硅制成。

10.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，沿着所述衬底的表面以所述存储器单元区、所述第一电路区和所述第二电路区的顺序设置所述存储器单元区、所述第一电路区和所述第二电路区。

11.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，从截面图中观察，在所述存储单元区中形成所述衬底的表面的存储单元与在所述第一电路区中形成所述衬底的表面的所述第一器件位于相同的层级处。