[发明专利]一种显示基板及其制备方法、显示面板在审
申请号: | 201711349263.3 | 申请日: | 2017-12-15 |
公开(公告)号: | CN108010954A | 公开(公告)日: | 2018-05-08 |
发明(设计)人: | 侯文军 | 申请(专利权)人: | 京东方科技集团股份有限公司 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32;H01L21/77 |
代理公司: | 北京银龙知识产权代理有限公司 11243 | 代理人: | 许静;刘伟 |
地址: | 100015 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 显示 及其 制备 方法 面板 | ||
本发明公开一种显示基板及其制备方法、显示面板,涉及显示技术领域,为解决现有技术中,需要设置较多的非显示像素界定层和像素材料层才能够解决采用喷墨打印工艺形成的薄膜均匀性差的问题。所述显示基板包括显示区和从所述显示区的至少一个边缘延伸出的非显示区;其中,所述显示区包括显示像素界定层,所述非显示区包括非显示像素界定层,所述非显示像素界定层的吸附性高于所述显示像素界定层的吸附性。本发明提供的显示基板用于显示。
技术领域
本发明涉及显示技术领域,尤其涉及一种显示基板及其制备方法、显示面板。
背景技术
随着显示技术的不断发展,显示器件的种类越来越多,其中有机发光二极管(英文:Organic Light-Emitting Diode,以下简称OLED)显示器件以其自发光、反应快、视角广、亮度高、色彩艳丽、轻薄等特点,受到了人们的广泛关注。
为了更好的提升制备OLED显示器件时材料的利用率,和OLED显示器件的制作良率,OLED显示器件的制作工艺也在不断的改进,目前应用较为广泛的制作工艺是采用真空蒸镀制程和溶液制程相结合来制作OLED显示器件,其中溶液制程一般通过喷墨打印技术实现,该喷墨打印技术是将数十兆分之一升的溶液(用于形成OLED显示器件的膜层的溶液)以每秒数百次的频率喷洒在特定的对象上,然后将溶剂去除形成干燥薄膜的成膜制程技术,这种成膜制程技术不仅能够提升材料的利用率,还保证了所形成的膜层的质量。
但是,在采用喷墨打印技术形成OLED显示器件的各膜层时,位于OLED显示器件的显示区域边缘部分的膜层的干燥速率比位于OLED显示器件的显示区域中心部位的膜层的干燥速率快,使得成膜的均匀性和OLED显示器件的亮度均匀性均受到了一定的影响。为了解决上述问题,现有技术中,在位于显示区域边缘的非显示区域中形成非显示像素界定层,并在非显示像素界定层中形成与显示区域中相同的像素材料层,但在OLED显示器件点亮时,非显示像素界定层中的像素材料层不会发光。
上述在非显示区域中形成非显示像素界定层和像素材料层的方法虽然在一定程度上解决了问题,但OLED显示器件的器件结构在需要打印的膜层厚度增加时,所要对应设置的非显示像素界定层和像素材料层就越多,不利于OLED显示器件的窄边框的发展需要。
发明内容
本发明的目的在于提供一种显示基板及其制备方法、显示面板,用于解决现有技术中,需要设置较多的非显示像素界定层和像素材料层才能够解决采用喷墨打印工艺形成的薄膜均匀性差的问题。
为了实现上述目的,本发明提供如下技术方案:
本发明的第一方面提供一种显示基板,包括显示区和从所述显示区的至少一个边缘延伸出的非显示区;其中,所述显示区包括显示像素界定层,所述非显示区包括非显示像素界定层,所述非显示像素界定层的吸附性高于所述显示像素界定层的吸附性。
进一步地,所述显示像素界定层的吸附性包括所述显示像素界定层对位于所述显示像素界定层中的像素材料层的吸附性;所述非显示像素界定层的吸附性包括所述非显示像素界定层对位于所述非显示像素界定层中的像素材料层的吸附性。
进一步地,位于所述显示像素界定层中的像素材料层与位于所述非显示像素界定层中的像素材料层具有相同的组成。
进一步地,所述非显示像素界定层的材料对位于所述非显示像素界定层中的像素材料层的结合力高于所述显示像素界定层的材料对位于所述显示像素界定层中的像素材料层的结合力;和/或,所述非显示像素界定层的材料的比表面积高于所述显示像素界定层的材料的比表面积。
进一步地,所述非显示像素界定层包括多孔结构,所述多孔结构的表面包括孔径在1nm-50nm之间的吸附孔。
进一步地,所述多孔结构包括基础材料层和覆盖所述基础材料层表面的多孔材料层。
进一步地,所述非显示像素界定层是多孔结构。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的