[发明专利]可提高抛光性能的化学机械抛光方法

说明书

本发明提供了一种可提高抛光性能的化学机械抛光方法，该方法包括第一阶段抛光、第二阶段抛光和第三阶段抛光，该方法包括以下步骤：步骤1：统计得出第一阶段抛光、第二阶段抛光和第三阶段抛光的总时间；步骤2：将第一阶段抛光时间设定为总时间的60‑70％，将第二阶段抛光时间设定为总时间的20‑30％，并且按照设定时间进行抛光；步骤3：进行第三阶段抛光并检测抛光终点，在检测到抛光终点时停止抛光。本发明所述的可提高抛光性能的化学机械抛光方法，可大幅度提高抛光性能。

技术领域

本发明属于机械加工领域，尤其是涉及一种可提高抛光性能的化学机械抛光方法。

背景技术

在制作钨插塞、铜金属线和浅沟槽隔离结构后，均需通过化学机械抛光(简称CMP)将无用的且影响晶圆表面形貌的钨、铜和沟槽填充物去除以使晶圆平坦化。目前对钨、铜和浅沟槽填充物的CMP一般包括第一阶段抛光和第二阶段抛光，第一阶段抛光的压力大于第二阶段抛光，该第一阶段和第二阶段抛光均依据所检测到的抛光终点来终止抛光的，但是上述压力较大的第一阶段抛光依据所检测到的抛光终点而停止抛光，容易造成抛光性能不佳，如出现凹陷(dishing)和侵蚀(erosion)过大，因此有必要降低第一阶段高压力抛光的时间。然而第一阶段抛光的时间太短又会造成抛光不够而留下钨、铜与沟槽填充物残留。

发明内容

有鉴于此，本发明旨在提出一种可提高抛光性能的化学机械抛光方法，以提高抛光性能。

为达到上述目的，本发明的技术方案是这样实现的：

一种可提高抛光性能的化学机械抛光方法，包括第一阶段抛光、第二阶段抛光和第三阶段抛光，该方法包括以下步骤：

步骤1：统计得出第一阶段抛光、第二阶段抛光和第三阶段抛光的总时间；

步骤2：将第一阶段抛光时间设定为总时间的60-70％，将第二阶段抛光时间设定为总时间的20-30％，并且按照设定时间进行抛光；

步骤3：进行第三阶段抛光并检测抛光终点，在检测到抛光终点时停止抛光。

进一步的，所述的可提高抛光性能的化学机械抛光方法，通过统计实际抛光过程的抛光时间得出第一阶段抛光、第二阶段抛光和第三阶段抛光的总时间为100秒。

进一步的，所述可提高抛光性能的化学机械抛光方法，该抛光层为钨膜。第一阶段抛光压力为25-30KPa，抛光时间为60秒，第二阶段抛光压力为15-20KPa，抛光时间为25秒，第三阶段抛光压力为10KPa，抛光时间为15秒。

进一步的，所述可提高抛光性能的化学机械抛光方法，该抛光层为铜膜。第一阶段抛光压力为15-25KPa，抛光时间为60秒，第二阶段抛光压力为10-15KPa，抛光时间为25秒，第三阶段抛光压力为5KPa，抛光时间为15秒。

相对于现有技术，本发明所述的可提高抛光性能的化学机械抛光方法具有以下优势：

本发明所述的可提高抛光性能的化学机械抛光方法，可提高抛光性能。

附图说明

构成本发明的一部分的附图用来提供对本发明的进一步理解，本发明的示意性实施例及其说明用于解释本发明，并不构成对本发明的不当限定。在附图中：

图1为本发明实施例所述的可提高抛光性能的化学机械抛光方法流程图；

具体实施方式

需要说明的是，在不冲突的情况下，本发明中的实施例及实施例中的特征可以相互组合。