[发明专利]一种N型单面电池的制作方法在审
申请号: | 201711346915.8 | 申请日: | 2017-12-15 |
公开(公告)号: | CN108054242A | 公开(公告)日: | 2018-05-18 |
发明(设计)人: | 王金艺;徐冠群;包健;张昕宇;金浩 | 申请(专利权)人: | 浙江晶科能源有限公司;晶科能源有限公司 |
主分类号: | H01L31/18 | 分类号: | H01L31/18;H01L31/054 |
代理公司: | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人: | 王宝筠 |
地址: | 314416 浙江*** | 国省代码: | 浙江;33 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 单面 电池 制作方法 | ||
本发明公开了一种N型单面电池的制作方法,包括:提供一衬底;在所述衬底的正面形成P
技术领域
本发明涉及太阳能电池技术领域,更具体地说,尤其涉及一种N型单面电池的制作方法。
背景技术
随着科学技术的不断发展,太阳能电池已广泛应用于人们的日常生活以及工业中,目前市场上流行的是P型多晶电池片,但是其效率并不高,逐渐无法满足市场需求。
为了避免P型多晶电池片的问题,各个行业中出现了N型电池片的生产及应用,但是目前N型电池片均是N型双面电池,因为存在背光面反射少的问题,导致电池的短路电流较小。
为了解决N型双面电池反射少,短路电流小的问题,N型单面电池应用而生,但是,现有技术中,N型单面电池的生产成本很高,且生产良率低。
发明内容
为解决上述问题,本发明提供了一种N型单面电池的制作方法,该制作方法有效降低N型单面电池的生产成本,提高生产良率。
为实现上述目的,本发明提供如下技术方案:
一种N型单面电池的制作方法,所述制作方法包括:
提供一衬底;
在所述衬底的正面形成P
在所述衬底的背面形成N
在所述P
在所述N
在所述第三钝化层背离所述N
优选的,在上述制作方法中,所述衬底为N型衬底。
优选的,在上述制作方法中,所述在所述衬底的正面形成P
对所述衬底的正面进行碱制绒处理;
当碱制绒处理完成后,在所述衬底的正面进行硼扩散,形成P
刻蚀去除所述衬底背面上经过硼扩散形成的pn结和正面上经过硼扩散形成的硼硅玻璃。
优选的,在上述制作方法中,所述制作方法还包括:
当P
其中,所述掩膜层为SiON层,且所述掩膜层的厚度为40nm-120nm,包括端点值。
优选的,在上述制作方法中,所述在所述衬底的背面形成N
当掩膜层形成后,在所述衬底的背面进行磷扩散,形成N
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