[发明专利]一种N型单面电池的制作方法

权利要求书

1.一种N型单面电池的制作方法，其特征在于，所述制作方法包括：

提供一衬底；

在所述衬底的正面形成P+层；

在所述衬底的背面形成N+层；

在所述P+层背离所述衬底的一侧依次形成第一钝化层以及第二钝化层；

在所述N+层背离所述衬底的一侧形成第三钝化层；

在所述第三钝化层背离所述N+层的一侧通过丝网印刷的方式形成银浆薄膜层。

2.根据权利要求1所述的制作方法，其特征在于，所述衬底为N型衬底。

3.根据权利要求1所述的制作方法，其特征在于，所述在所述衬底的正面形成P+层包括：

对所述衬底的正面进行碱制绒处理；

当碱制绒处理完成后，在所述衬底的正面进行硼扩散，形成P+层；

刻蚀去除所述衬底背面上经过硼扩散形成的pn结和正面上经过硼扩散形成的硼硅玻璃。

4.根据权利要求1所述的制作方法，其特征在于，所述制作方法还包括：

当P+层形成后，在所述P+层背离所述衬底的一侧形成掩膜层；

其中，所述掩膜层为SiON层，且所述掩膜层的厚度为40nm-120nm，包括端点值。

5.根据权利要求4所述的制作方法，其特征在于，所述在所述衬底的背面形成N+层包括：

当掩膜层形成后，在所述衬底的背面进行磷扩散，形成N+层；

刻蚀去除所述衬底背面上经过磷扩散形成的磷硅玻璃以及所述掩膜层。

6.根据权利要求1所述的制作方法，其特征在于，所述第一钝化层为Al2O3层，且所述第一钝化层的厚度为2nm-20nm，包括端点值；所述第二钝化层为SiN层，且所述第二钝化层的厚度为60nm-80nm，包括端点值。

7.根据权利要求1所述的制作方法，其特征在于，所述第三钝化层为SiN层，且所述第三钝化层的厚度为60nm-100nm，包括端点值。

8.根据权利要求1所述的制作方法，其特征在于，所述P+层的深度为0.3um-2um，包括端点值。

9.根据权利要求1所述的制作方法，其特征在于，所述N+层的深度为0.2um-1um，包括端点值。

10.根据权利要求1所述的制作方法，其特征在于，所述银浆薄膜层的厚度为1um-3um，包括端点值。