[发明专利]阵列基板及其制备方法

说明书

本发明涉及一种阵列基板及其制备方法。所述阵列基板包括：基板；位于所述基板上的薄膜晶体管；位于所述基板上且在平行于所述基板的表面的方向上与所述薄膜晶体管间隔设置的发光器件；以及位于所述薄膜晶体管与所述发光器件之间的用于屏蔽来自所述发光器件的光的遮光部。所述遮光部包围所述发光层。

技术领域

本发明的实施例涉及显示技术领域，尤其涉及一种阵列基板及其制备方法。

背景技术

有机发光二极管(Organic Light Emitting Diode，简称OLED)显示装置具有能耗低、亮度高、反应时间快、宽视角、重量轻等优点，近来已普遍应用于移动通信终端、个人数字助理、掌上电脑等设备中。OLED显示装置分为无源矩阵型和有源矩阵型两种，其中，有源矩阵型OLED显示装置利用薄膜晶体管(Thin Film Transistor，简称TFT)驱动OLED，具有较高发光效率和较好的显示效果。

发明内容

本发明的实施例提供了一种阵列基板及其制备方法，能够防止OLED器件发出的光照射到TFT而引起TFT的劣化。

根据本发明的第一方面，提供一种阵列基板，包括：基板；位于所述基板上的薄膜晶体管；位于所述基板上且在平行于所述基板的表面的方向上与所述薄膜晶体管间隔设置的发光器件；以及位于所述薄膜晶体管与所述发光器件之间的用于屏蔽来自所述发光器件的光的遮光部。

在本发明的实施例中，所述遮光部包围所述发光器件中的发光层。

在本发明的实施例中，所述遮光部为所述薄膜晶体管的源极区和漏极区中的一者与所述第一电极之间的电连接。

在本发明的实施例中，所述发光器件包括沿垂直于所述基板的表面的方向上依次设置的第一电极、所述发光层和第二电极。所述薄膜晶体管包括位于所述基板上的有源层、位于所述有源层上的第一绝缘层、以及位于所述第一绝缘层上的栅极。所述第一绝缘层还覆盖所述基板的未被所述有源层覆盖的表面。所述阵列基板还包括位于所述栅极和所述第一绝缘层上的第二绝缘层。所述第一绝缘层和所述第二绝缘层中具有第一开口。所述发光器件位于所述第一开口中。所述遮光部包括：沿所述第一开口的侧壁延伸的与所述第一电极电连接的第一部分；在靠近所述第一开口的所述第二绝缘层的远离所述基板的一侧上延伸的与所述第一部分连接的第二部分；以及通过位于所述第一绝缘层和所述第二绝缘层中的第一孔将所述第二部分连接到所述有源层的第三部分。

在本发明的实施例中，所述发光器件包括沿垂直于所述基板的表面的方向上依次设置的第一电极、所述发光层和第二电极。所述薄膜晶体管包括位于所述基板上的有源层、位于所述有源层上的第一绝缘层、以及位于所述第一绝缘层上的栅极。所述第一绝缘层还覆盖所述基板的未被所述有源层覆盖的表面。所述第一绝缘层具有第二开口。所述发光器件位于所述第二开口中。所述阵列基板还包括：位于所述栅极和所述第一绝缘层上的第三绝缘层。所述第三绝缘层具有暴露所述发光器件的第三开口。所述第三开口在所述基板上的正投影位于所述第二开口在所述基板上的正投影内。所述遮光部包括：在靠近所述第二开口的所述第一绝缘层的远离所述基板的一侧上和在所述第一电极的边缘上延伸的第四部分，其中，所述第三绝缘层覆盖所述第四部分；通过位于所述第三绝缘层中的第二孔与所述第四部分连接的第五部分；在靠近所述第三开口的所述第三绝缘层的远离所述基板的一侧上延伸的与所述第五部分连接的第六部分；以及通过位于所述第一绝缘层和所述第三绝缘层中的第三孔将所述第六部分连接到所述有源层的第七部分。

在本发明的实施例中，所述遮光部的所述第四部分与所述栅极同层设置。