[发明专利]阵列基板及其制备方法有效
申请号: | 201711346849.4 | 申请日: | 2017-12-15 |
公开(公告)号: | CN107968113B | 公开(公告)日: | 2021-01-08 |
发明(设计)人: | 程鸿飞;张玉欣 | 申请(专利权)人: | 京东方科技集团股份有限公司 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32;H01L51/56 |
代理公司: | 北京市中咨律师事务所 11247 | 代理人: | 牛南辉;李峥 |
地址: | 100015 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 阵列 及其 制备 方法 | ||
1.一种阵列基板,包括:
基板;
位于所述基板上的薄膜晶体管;
位于所述基板上且在平行于所述基板的表面的方向上与所述薄膜晶体管间隔设置的发光器件;以及
位于所述薄膜晶体管与所述发光器件之间的用于屏蔽来自所述发光器件的光的遮光部,
其中,所述遮光部的顶表面高于所述发光器件的发光层的顶表面,
所述遮光部为所述薄膜晶体管的源极区和漏极区中的一者与所述发光器件中的第一电极之间的电连接结构并且电连接所述薄膜晶体管的源极区和漏极区中的所述一者与所述发光器件中的所述第一电极。
2.根据权利要求1所述的阵列基板,其中,所述遮光部包围所述发光器件中的所述发光层。
3.根据权利要求1所述的阵列基板,其中,所述发光器件包括沿垂直于所述基板的表面的方向上依次设置的所述第一电极、所述发光层和第二电极,
所述薄膜晶体管包括位于所述基板上的有源层、位于所述有源层上的第一绝缘层、以及位于所述第一绝缘层上的栅极,其中,所述第一绝缘层还覆盖所述基板的未被所述有源层覆盖的表面,
所述阵列基板还包括位于所述栅极和所述第一绝缘层上的第二绝缘层,其中,所述第一绝缘层和所述第二绝缘层中具有第一开口,所述发光器件位于所述第一开口中,
其中,所述遮光部包括:沿所述第一开口的侧壁延伸的与所述第一电极电连接的第一部分;在靠近所述第一开口的所述第二绝缘层的远离所述基板的一侧上延伸的与所述第一部分连接的第二部分;以及通过位于所述第一绝缘层和所述第二绝缘层中的第一孔将所述第二部分连接到所述有源层的第三部分。
4.根据权利要求1所述的阵列基板,其中,所述发光器件包括沿垂直于所述基板的表面的方向上依次设置的所述第一电极、所述发光层和第二电极,
所述薄膜晶体管包括位于所述基板上的有源层、位于所述有源层上的第一绝缘层、以及位于所述第一绝缘层上的栅极,其中,所述第一绝缘层还覆盖所述基板的未被所述有源层覆盖的表面,所述第一绝缘层具有第二开口,所述发光器件位于所述第二开口中,
所述阵列基板还包括位于所述栅极和所述第一绝缘层上的第三绝缘层,其中,所述第三绝缘层具有暴露所述发光器件的第三开口,所述第三开口在所述基板上的正投影位于所述第二开口在所述基板上的正投影内,
其中,所述遮光部包括:在靠近所述第二开口的所述第一绝缘层的远离所述基板的一侧上和在所述第一电极的边缘上延伸的第四部分,其中,所述第三绝缘层覆盖所述第四部分;通过位于所述第三绝缘层中的第二孔与所述第四部分连接的第五部分;在靠近所述第三开口的所述第三绝缘层的远离所述基板的一侧上延伸的与所述第五部分连接的第六部分;以及通过位于所述第一绝缘层和所述第三绝缘层中的第三孔将所述第六部分连接到所述有源层的第七部分。
5.根据权利要求4所述的阵列基板,其中,所述遮光部的所述第四部分与所述栅极同层设置。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的