[发明专利]一种低电压双边放大的灵敏放大器电路

说明书

本发明公开了一种低电压双边放大的灵敏放大器电路，该电路包含存储电路、主灵敏放大电路和预充电电路；存储电路其设有存储阵列；主灵敏放大电路检测与其连接的存储阵列的存储单元；主灵敏放大电路设有若干个PMOS晶体管和若干个NMOS晶体管；PMOS晶体管为自偏置连接，使PMOS晶体管和NMOS晶体管在预充电结束后处于饱和区；预充电电路将与其连接的主灵敏放大电路预充电到使该灵敏放大器电路平衡的电压点。本发明的灵敏放大器电路，不管读有电流存储单元还是无电流存储单元，都处于放大区域，可以使灵敏放大器电路的输出压差裕量都足够大，并且有较快的响应速度。

技术领域

本发明涉及灵敏放大电路领域，特别涉及一种低电压双边放大的灵敏放大器电路。

背景技术

如图1所示，现有技术领域中的全差分灵敏放大电路中，当预充电结束时，V_out0＝V_out1＝V_cl0＝V_cl1，NMOS晶体管N0和NMOS晶体管N1处于线性区，PMOS晶体管P0和PMOS晶体管P1处于饱和区。

当读无电流存储单元时，主要PMOS晶体管P0或PMOS晶体管P1起作用，PMOS晶体管P0的第一输出端out0、PMOS晶体管P1的第二输出端out1能快速分开；但当读有电流存储单元时，主要NMOS晶体管N0和NMOS晶体管N1起作用，第一输出端out0、第二输出端out1无法快速分开；所以导致灵敏放大器在读有电流存储单元时，响应速度慢，同时第一输出端out0、第二输出端out1之间的压差小，对后级的锁存器要求更高。

发明内容

本发明的目的是提供一种低电压双边放大的灵敏放大器电路，其通过设置开关的启闭将作负载电阻用的PMOS晶体管改成自偏置连接，并将主灵敏放大电路的支路电源不直接接原总放大电路电源，使得本发明不管读有电流存储单元还是无电流存储单元，都有较大的跨导，灵敏放大电路能快速响应并在较短时间内得到较大的裕量。

为了达到上述目的，本发明提供了一种低电压双边放大的灵敏放大器电路，其包含：

存储电路，其设有存储阵列；

主灵敏放大电路，其检测与其连接的所述存储阵列的存储单元；所述主灵敏放大电路设有若干个PMOS晶体管和若干个NMOS晶体管；所述PMOS晶体管设为自偏置连接，使所述PMOS晶体管和所述NMOS晶体管在预充电结束后均处于饱和区；

预充电电路，其将与其连接的所述主灵敏放大电路预充电到使该灵敏放大器电路平衡的电压点。

优选地，所述若干个PMOS晶体管至少包含相互对称的第一PMOS晶体管和第二PMOS晶体管；所述主灵敏放大电路至少包含第一开关和第二开关，该两个开关中的任意一个打开，则另外一个关闭，使所述第一PMOS晶体管或所述第二PMOS晶体管设置成自偏置连接方式。

优选地，所述若干个NMOS晶体管至少包含相互对称的第一NMOS晶体管和第二NMOS晶体管；所述主灵敏放大电路至少还包含第三开关和第四开关，该两个开关中的任意一个开关的两端分别与第一NMOS晶体管的源极和第二NMOS晶体管的源极连接，则另外一个开关的两端分别与第一NMOS晶体管的漏极和第二NMOS晶体管的漏极连接；第三开关和第四开关在预充电阶段时关闭，在灵敏放大阶段时打开。

优选地，所述主灵敏放大电路还包含第五开关和第六开关，该两个开关中的任意一个开关打开，则另外一个关闭，使该主灵敏放大电路读取对应的存储阵列。

优选地，所述主灵敏放大电路作为支路的输入电源VDDR不直接接灵敏放大器电路总电路的电源VDD，该支路电源VDDR由电荷泵或低压差线性稳压器产生。