[发明专利]一种低电压双边放大的灵敏放大器电路

权利要求书

1.一种低电压双边放大的灵敏放大器电路，其特征在于，其包含：

存储电路，其设有存储阵列；

主灵敏放大电路，其检测与其连接的所述存储阵列的存储单元；所述主灵敏放大电路设有若干个PMOS晶体管和若干个NMOS晶体管；所述PMOS晶体管设为自偏置连接，使所述PMOS晶体管和所述NMOS晶体管在预充电结束后均处于饱和区；

预充电电路，其将与其连接的所述主灵敏放大电路预充电到使该灵敏放大器电路平衡的电压点；

所述若干个PMOS晶体管至少包含相互对称的第一PMOS晶体管(P0)和第二PMOS晶体管(P1)；所述主灵敏放大电路至少包含第一开关和第二开关，该两个开关中的任意一个打开，则另外一个关闭，使所述第一PMOS晶体管(P0)或所述第二PMOS晶体管(P1)设置成自偏置连接方式；

所述若干个NMOS晶体管至少包含相互对称的第一NMOS晶体管(N0)和第二NMOS晶体管(N1)；所述主灵敏放大电路还包含第三开关和第四开关，该两个开关中的任意一个开关的两端分别与第一NMOS晶体管(N0)的源极和第二NMOS晶体管(N1)的源极连接，则另外一个开关的两端分别与第一NMOS晶体管(N0)的漏极和第二NMOS晶体管(N1)的漏极连接；第三开关和第四开关在预充电阶段时关闭，在灵敏放大阶段时打开；

所述灵敏放大器电路还包含第三PMOS晶体管(P2)和第四PMOS晶体管(P3)；当所述灵敏放大电路处于预充电阶段时，所述预充电电路对第一NMOS晶体管(N0)的第三输出端(cl0)和所述第二NMOS晶体管(N1)的第四输出端(cl1)进行预充电，且第四开关和第三开关关闭，使所述灵敏放大器电路达到平衡；在预充电阶段结束前将第三PMOS晶体管(P2)和第四PMOS晶体管(P3)打开，使第一NMOS晶体管(N0)和第二NMOS晶体管(N1)进入饱和区。

2.如权利要求1所述 的灵敏放大器电路，其特征在于，

所述主灵敏放大电路还包含第五开关和第六开关，该两个开关中的任意一个开关打开，则另外一个关闭，使该主灵敏放大电路读取对应的存储阵列。

3.如权利要求1所述的灵敏放大器电路，其特征在于，

所述主灵敏放大电路作为支路的输入电源VDDR不直接连接灵敏放大器电路总电路的电源VDD，该支路电源VDDR由电荷泵或低压差线性稳压器产生。

4.如权利要求3所述的灵敏放大器电路，其特征在于，

当所述预充电电路在预充电时，满足条件：V_out0＝V_out1＝VDDR-V_thP，VDDRV_cl0+V_thP0+V_dsatN0，使预充电结束后的第一NMOS晶体管(N0)、第二NMOS晶体管(N1)、第一PMOS晶体管(P0)和第二PMOS晶体管(P1)均处于饱和区；

其中，V_out0表示第一PMOS晶体管(P0)的第一输出端(out0)的电压，V_out1表示第二PMOS晶体管(P1)的第二输出端(out1)的电压，V_cl0表示第一NMOS晶体管(N0)的第三输出端(cl0)的电压，V_thP0表示第一PMOS晶体管(P0)的阈值电压，V_thP表示PMOS晶体管的阈值电压，V_dsatN0表示第一NMOS晶体管(N0)的饱和电压。

5.如权利要求1所述的灵敏放大器电路，其特征在于，

当所述预充电阶段结束时，将预充电电路关闭，同时第三开关和第四开关打开，进入灵敏放大阶段；

所述灵敏放大阶段为：所述第一PMOS晶体管(P0)或者第二PMOS晶体管(P1)设置为自偏置接法，该设为自偏置接法的PMOS晶体管的输出端的电位维持不变；读取电流存储单元，与设置为自偏置接法的PMOS晶体管对应的NMOS晶体管的电流大于或小于该PMOS晶体管的电流，该PMOS晶体管或该对应的NMOS晶体管处于饱和区，该PMOS晶体管的输出电压下降或上升，使第一PMOS晶体管(P0)的输出端和第二PMOS晶体管(P1)的输出端建立压差。