[发明专利]形成水平纳米线的方法以及由水平纳米线制备的器件

权利要求书

1.一种形成水平纳米线的方法，所述方法包括：

-提供基板(9)，所述基板(9)包括电介质层(2)和鳍结构(5)，所述鳍结构(5)包括从电介质层(2)突出的部分(5’)，所述突出的部分(5’)部分未掩蔽且包含由第一材料层(4)交替且重复地与第二材料层(3)叠置构成的多层堆叠，和

-形成水平纳米线(11,12,13)，

其中，所述形成通过进行一个循环来进行，所述循环包括：

-选择性除去第一材料，直到第二材料的水平纳米线悬浮在部分未掩蔽的突出部分(5’)的剩余部分上方，

-在该剩余部分上形成牺牲层(6)，同时保持所述悬浮的水平纳米线未被覆盖，

-在悬浮的水平纳米线上选择性设置覆盖层(7)，然后

-除去牺牲层(6),

由此，循环中形成的水平纳米线从顶部开始悬浮，在底部水平纳米线悬浮后除去覆盖层(7)。

2.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述基板(9)在形成牺牲层的过程中旋转。

3.如权利要求1或2所述的方法，其特征在于，牺牲层(6)是旋涂材料，并且是自平坦化的。

4.如权利要求3所述的方法，其特征在于，牺牲层(6)形成为旋涂碳层。

5.如上述权利要求中任一项所述的方法，其特征在于，选择性除去第一材料是循环的，且包括：

-氧化第一材料和第二材料，和

-进行蚀刻处理，由此对蚀刻处理的参数加以选择，以相比于第二材料的氧化物更快地除去第一材料的氧化物。

6.如权利要求5所述的方法，其特征在于，所述蚀刻处理是干等离子体蚀刻处理。

7.如上述权利要求中任一项所述的方法，其特征在于，覆盖层(7)是金属。

8.如上述权利要求中任一项所述的方法，其特征在于，选择性设置覆盖层(7)包括进行无电沉积或原子层沉积。

9.如上述权利要求中任一项所述的方法，其特征在于，第一材料包含Si和Ge，第二材料包含Si。

10.如上述权利要求中任一项所述的方法，其特征在于，第一材料包含Si，第二材料包含Si和Ge。

11.一种制造水平栅极全包围纳米线场效应晶体管的方法，所述方法包括：

-依据权利要求1-10中任一项所述形成悬浮的水平纳米线(11,12,13)，和

-提供围绕悬浮的水平纳米线(11,12,13)的栅极堆叠(8)，所述栅极堆叠包括栅极绝缘体和设置在栅极绝缘体上的栅极金属。

12.一种半导体结构(400)，所述结构包括：

-包含电介质层(2)的基板(9)，

-鳍结构(5)，所述鳍结构(5)包括从电介质层(2)突出的部分(5’)，所述突出的部分(5’)部分未掩蔽，由此包含由第一材料层(4)交替且重复地与第二材料层(3)叠置构成的多层堆叠，

其中：

部分未掩蔽的突出部分(5’)还包括：

-第二材料的水平纳米线(11,12)，至少一个水平纳米线(11)被覆盖层(7)覆盖，和

-水平纳米线(11,12)悬浮在覆盖多层堆叠的牺牲层(6)上方，其中层(3”,4”)具有不均一的尺寸。

13.如权利要求12所述的结构，其特征在于，牺牲层形成为旋涂碳层。

14.如权利要求12或13所述的结构，其特征在于，水平纳米线(11,12)的直径基本相同。

15.如上述权利要求12-14中任一项所述的结构，其特征在于，覆盖层(7)是金属。

16.如上述权利要求12-15中任一项所述的结构，其特征在于，第一材料包含Si和Ge，第二材料包含Si。