[发明专利]自举二极管仿真器电路

说明书

一种自举二极管仿真器电路，包括晶体管器件和二极管式器件。晶体管器件被布置在自举二极管仿真器电路的阴极处。二极管式器件的阴极连接到晶体管器件而二极管式器件的阳极形成所述自举二极管仿真器电路的阳极。

技术领域

本发明涉及一种自举二极管仿真器电路。更具体地，但非限制性地，本发明涉及一种自举二极管仿真器半导体电路。

背景技术

图1A示出了由STMicroelectronics公司制造的L6390高压半桥驱动器集成电路的电路图10。如图1A所示，电路10包括布置在低压侧电源电压节点VCC和自举电源电压节点BOOT之间的内置自举二极管12(标记为“自举驱动器”)，其用于与自举电容器(未示出)连接。图1B示出了L6390高压半桥驱动器集成电路10的一部分与外部自举二极管D_BOOT和其他外部电子组件的电路连接，其用于实现自举驱动器。

在图1B的电路20中，在正常操作期间，能量通过自举二极管D_BOOT22从具有节点VCC和节点GND的低端电源传送到位于节点BOOT和节点OUT之间的高端电源去耦电容器C_BOOT24。然而，在一些应用中，优选将自举二极管集成在半桥驱动器集成电路中以简化应用电路。通常，这种集成需要具有高反向击穿电压的二极管。但是，这种二极管在典型的集成电路工艺技术平台中通常是不可用的。因此，一种解决方案是使用具有诸如高压LDMOS器件之类的高压器件的二极管仿真器电路来仿真二极管的功能。

图1C示出了L6390高压半桥驱动器集成电路10的一部分与内置的仿真自举二极管32和其他外部电子组件的电路连接，其用于实现自举驱动器。仿真自举二极管32包括高压DMOS器件，其被布置成由低端驱动器(LVG)同步驱动并连接有二极管。在图1C的电路30中，在正常操作期间，能量经由仿真自举二极管32从具有节点VCC和节点GND的低端电源传送到位于节点BOOT和节点OUT之间的高端电源去耦电容器C_BOOT34。

图2示出了另一示例性二极管仿真器电路40。电路40包括高压LDMOS器件42。器件42的源极端子连接到低压侧电源电压节点VCC，器件42的漏极端子连接到自举电源电压节点BOOT，而器件42的栅极端子连接到低端驱动器。二极管仿真器电路40虽然可被用作自举二极管，但它会遇到以下的问题：

(1)需要一个内部自举栅极驱动器电路以使完整(最大)的VCC电压到达自举电容器C_BOOT。

(2)仿真二极管只有在低端电路导通时才能导通。

特别地，第二个问题意味着在高压半桥集成电路能够进入正常功能模式之前将需要正确的初始化。如果存在具有隔离体的高电压LDMOS器件，使得主体连接到高电压LDMOS器件42的源极端子而不是COM，则该问题可以得到解决。然而，问题在于，这样的装置在大多数高压集成电路工艺平台中并不容易得到。

美国专利US5,666,280和US7,215,189进一步公开了一些现有的自举二极管仿真器电路。这些电路通常可与半桥驱动器集成电路一起使用。

本发明的一个目的是解决上述需要，克服或基本上改善上述缺点，或者更一般地，提供一种新的或者改进的自举二极管仿真器电路。

发明内容

根据本发明的第一方面，提供了一种自举二极管仿真器电路，包括：晶体管器件，被布置在自举二极管仿真器电路的阴极处；以及二极管式器件，其阴极连接到所述晶体管器件以及其阳极形成所述自举二极管仿真器电路的阳极。所述自举二极管仿真器电路的阳极可以连接到低端电源电压节点VCC而所述自举二极管仿真器电路的阴极可以连接到自举电源电压节点BOOT。

优选地，所述晶体管器件是高压器件，并且所述二极管式器件是中压器件。