[发明专利]柔性阵列基板及制备方法和显示装置有效
申请号: | 201711341653.6 | 申请日: | 2017-12-14 |
公开(公告)号: | CN108054186B | 公开(公告)日: | 2021-01-29 |
发明(设计)人: | 田雪雁;史世明;秦双亮 | 申请(专利权)人: | 京东方科技集团股份有限公司 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32;H01L51/00;H01L51/56 |
代理公司: | 北京清亦华知识产权代理事务所(普通合伙) 11201 | 代理人: | 赵天月 |
地址: | 100015 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 柔性 阵列 制备 方法 显示装置 | ||
本发明提供了柔性阵列基板及其制备方法和显示装置。柔性阵列基板包括:第一柔性基板,第一柔性基板具有第一表面;薄膜晶体管,薄膜晶体管位于第一表面上;遮光层,遮光层位于第一柔性基板与薄膜晶体管之间,其中,遮光层在第一柔性基板上的正投影覆盖薄膜晶体管的沟道区在第一柔性基板上的正投影。由此,可以解决高温下由于刚性基板软化使遮光层被污染、融化或脱落,而造成产品被废弃的技术问题,提高产品良率和量率。
技术领域
本发明涉及技术显示领域,特别的,涉及柔性阵列基板及制备方法和显示装置。
背景技术
柔性有源矩阵有机发光二极管显示器(AMOLED)凭据高画质、移动图像响应时间短、低功耗、宽视角及超轻薄等优点,成为了未来显示技术的最好选择。然而,在制备AMOLED产品,利用激光工艺剥离柔性AMOLED基板(LLO)时,参照图1,为防止出现因低灰阶显示和亮度不均匀而导致各种痕迹的现象(Mura),或LLO激光不稳而直接导致沟道出现线性Mura,以及整体不均匀Mura,会在衬底基板上设置一层遮光层LS,用于防止LLO激光对沟道的影响,改善显示效果。但目前该技术仍存在许多其他问题。
发明内容
在本发明的一个方面,本发明提供了一种柔性阵列基板。根据本发明的实施例,所述柔性阵列基板包括:第一柔性基板,所述第一柔性基板具有第一表面;薄膜晶体管,所述薄膜晶体管位于所述第一表面上;遮光层;所述遮光层位于所述第一柔性基板与所述薄膜晶体管之间;其中,所述遮光层在所述第一柔性基板上的正投影覆盖所述薄膜晶体管的沟道区在所述第一柔性基板上的正投影。
根据本发明的实施例,所述遮光层在所述第一柔性基板上的正投影覆盖所述薄膜晶体管的有源层在所述第一柔性基板上的正投影。
根据本发明的实施例,该柔性阵列基板包括缓冲层,所述缓冲层位于所述遮光层与所述薄膜晶体管之间。
根据本发明的实施例,柔性阵列基板包括第一阻隔层,所述第一阻隔层位于所述遮光层与所述缓冲层之间,或所述第一柔性基板与所述遮光层之间。
根据本发明的实施例,所述柔性阵列基板还包括:第二柔性基板,所述第二柔性基板位于所述第一阻隔层面向所述薄膜晶体管的一侧;第二阻隔层,所述第二阻隔层位于所述第二柔性基板面向所述薄膜晶体管的一侧。
根据本发明的实施例,所述遮光层位于所述第一柔性基板和所述第一阻隔层之间,和/ 或所述第一阻隔层和所述第二柔性基板之间,和/或所述第二柔性基板和所述第二阻隔层之间。
根据本发明的实施例,所述第一阻隔层包括:第一子阻隔层,所述第一子阻隔层位于所述第一柔性基板面向所述薄膜晶体管的一侧;第二子阻隔层,所述第二子阻隔层位于所述第一子阻隔层面向所述薄膜晶体管的一侧,其中,所述遮光层位于所述第一柔性基板和所述第一阻隔层之间,和/或所述第一阻隔层和所述第二柔性基板之间,和/或所述第二柔性基板和所述第二阻隔层之间,和/或所述第一子阻隔层和所述第二子阻隔层之间。
根据本发明的实施例,形成所述遮光层的材料包括钼。
在本发明的另一方面,本发明提供了一种显示装置。
根据本发明的实施例,该显示装置包前述的柔性阵列基板。由此,该显示装置显示和亮度均匀,视觉缺陷低,显示画面优质。
在本发明的又一方面,本发明提供一种制备柔性阵列基板的方法。根据本发明的实施例,所述方法包括:形成刚性基板,所述刚性基板具有第二表面;形成第一柔性基板,所述第一柔性基板位于所述第二表面上;形成薄膜晶体管,所述薄膜晶体管位于所述第一柔性基板远离所述刚性基板的一侧;形成遮光层,所述遮光层位于所述第一柔性基板与所述薄膜晶体管之间;其中,所述遮光层在所述第一柔性基板上的正投影覆盖所述薄膜晶体管的沟道区在所述第一柔性基板上的正投影。
根据本发明的实施例,所述方法包括形成缓冲层的步骤,所述缓冲层位于所述遮光层与所述薄膜晶体管之间。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
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H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的