[发明专利]柔性阵列基板及制备方法和显示装置有效

专利信息
申请号: 201711341653.6 申请日: 2017-12-14
公开(公告)号: CN108054186B 公开(公告)日: 2021-01-29
发明(设计)人: 田雪雁;史世明;秦双亮 申请(专利权)人: 京东方科技集团股份有限公司
主分类号: H01L27/32 分类号: H01L27/32;H01L51/00;H01L51/56
代理公司: 北京清亦华知识产权代理事务所(普通合伙) 11201 代理人: 赵天月
地址: 100015 *** 国省代码: 北京;11
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摘要:
搜索关键词: 柔性 阵列 制备 方法 显示装置
【权利要求书】:

1.一种柔性阵列基板,其特征在于,包括:

第一柔性基板,所述第一柔性基板具有第一表面;

薄膜晶体管,所述薄膜晶体管位于所述第一表面;

阵列设置的多个遮光层,所述遮光层位于所述第一柔性基板与所述薄膜晶体管之间;

其中,所述遮光层在所述第一柔性基板上的正投影覆盖所述薄膜晶体管的沟道区在所述第一柔性基板上的正投影,且相邻所述遮光层之间的距离大于激光剥离的激光波长,

缓冲层,所述缓冲层位于所述遮光层与所述薄膜晶体管之间;

第一阻隔层,所述第一阻隔层位于所述遮光层与所述缓冲层之间,或者所述第一柔性基板与所述遮光层之间;

第二柔性基板,所述第二柔性基板位于所述第一阻隔层面向所述薄膜晶体管的一侧;

第二阻隔层,所述第二阻隔层位于所述第二柔性基板面向所述薄膜晶体管的一侧;

其中,所述第一阻隔层包括:

第一子阻隔层,所述第一子阻隔层位于所述第一柔性基板面向所述薄膜晶体管的一侧;

第二子阻隔层,所述第二子阻隔层位于所述第一子阻隔层面向所述薄膜晶体管的一侧,

其中,所述遮光层位于所述第一柔性基板和所述第一阻隔层之间,和/或所述第一阻隔层和所述第二柔性基板之间,和/或所述第二柔性基板和所述第二阻隔层之间,和/或所述第一子阻隔层和所述第二子阻隔层之间。

2.根据权利要求1所述的柔性阵列基板,其特征在于,所述遮光层在所述第一柔性基板上的正投影覆盖所述薄膜晶体管的有源层在所述第一柔性基板上的正投影。

3.根据权利要求1所述的柔性阵列基板,其特征在于,所述遮光层位于所述第一柔性基板和所述第一阻隔层之间,和/或所述第一阻隔层和所述第二柔性基板之间,和/或所述第二柔性基板和所述第二阻隔层之间。

4.根据权利要求1所述的柔性阵列基板,其特征在于,形成所述遮光层的材料为钼。

5.一种显示装置,其特征在于,包括权利要求1-4任一项所述的柔性阵列基板。

6.一种制备柔性阵列基板的方法,其特征在于,包括:

形成刚性基板,所述刚性基板具有第二表面;

形成第一柔性基板,所述第一柔性基板位于所述第二表面上;

形成薄膜晶体管,所述薄膜晶体管位于所述第一柔性基板远离所述刚性基板的一侧;

形成阵列分布的多个遮光层,所述遮光层位于所述第一柔性基板与所述薄膜晶体管之间,所述遮光层在所述第一柔性基板上的正投影覆盖所述薄膜晶体管的沟道区在所述第一柔性基板上的正投影,且相邻所述遮光层之间的距离大于激光剥离的激光波长,

形成缓冲层,所述缓冲层位于所述遮光层与所述薄膜晶体管之间;

形成第一阻隔层,所述第一阻隔层位于所述遮光层与所述缓冲层之间,或所述第一柔性基板与所述遮光层之间;

形成第二柔性基板和第二阻隔层,所述第二柔性基板位于所述第一阻隔层远离所述刚性基板的一侧,所述第二阻隔层位于所述第二柔性基板远离所述刚性基板的一侧;

其中,所述第一阻隔层包括:

第一子阻隔层,所述第一子阻隔层位于所述第一柔性基板远离所述刚性基板的一侧;

第二子阻隔层,所述第二子阻隔层位于所述第一子阻隔层远离所述刚性基板的一侧,

所述遮光层位于所述第一柔性基板和所述第一阻隔层之间,和/或所述第一阻隔层和所述第二柔性基板之间,和/或所述第二柔性基板和所述第二阻隔层之间,和/或所述第一子阻隔层和所述第二子阻隔层之间。

7.根据权利要求6所述的方法,其特征在于,所述遮光层位于所述第一柔性基板和所述第一阻隔层之间,和/或所述第一阻隔层和所述第二柔性基板之间,和/或所述第二柔性基板和所述第二阻隔层之间。

8.根据权利要求6或7所述的方法,其特征在于,还包括利用激光剥离去除所述刚性基板的步骤。

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