[发明专利]柔性阵列基板及制备方法和显示装置有效
申请号: | 201711341653.6 | 申请日: | 2017-12-14 |
公开(公告)号: | CN108054186B | 公开(公告)日: | 2021-01-29 |
发明(设计)人: | 田雪雁;史世明;秦双亮 | 申请(专利权)人: | 京东方科技集团股份有限公司 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32;H01L51/00;H01L51/56 |
代理公司: | 北京清亦华知识产权代理事务所(普通合伙) 11201 | 代理人: | 赵天月 |
地址: | 100015 *** | 国省代码: | 北京;11 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 柔性 阵列 制备 方法 显示装置 | ||
1.一种柔性阵列基板,其特征在于,包括:
第一柔性基板,所述第一柔性基板具有第一表面;
薄膜晶体管,所述薄膜晶体管位于所述第一表面;
阵列设置的多个遮光层,所述遮光层位于所述第一柔性基板与所述薄膜晶体管之间;
其中,所述遮光层在所述第一柔性基板上的正投影覆盖所述薄膜晶体管的沟道区在所述第一柔性基板上的正投影,且相邻所述遮光层之间的距离大于激光剥离的激光波长,
缓冲层,所述缓冲层位于所述遮光层与所述薄膜晶体管之间;
第一阻隔层,所述第一阻隔层位于所述遮光层与所述缓冲层之间,或者所述第一柔性基板与所述遮光层之间;
第二柔性基板,所述第二柔性基板位于所述第一阻隔层面向所述薄膜晶体管的一侧;
第二阻隔层,所述第二阻隔层位于所述第二柔性基板面向所述薄膜晶体管的一侧;
其中,所述第一阻隔层包括:
第一子阻隔层,所述第一子阻隔层位于所述第一柔性基板面向所述薄膜晶体管的一侧;
第二子阻隔层,所述第二子阻隔层位于所述第一子阻隔层面向所述薄膜晶体管的一侧,
其中,所述遮光层位于所述第一柔性基板和所述第一阻隔层之间,和/或所述第一阻隔层和所述第二柔性基板之间,和/或所述第二柔性基板和所述第二阻隔层之间,和/或所述第一子阻隔层和所述第二子阻隔层之间。
2.根据权利要求1所述的柔性阵列基板,其特征在于,所述遮光层在所述第一柔性基板上的正投影覆盖所述薄膜晶体管的有源层在所述第一柔性基板上的正投影。
3.根据权利要求1所述的柔性阵列基板,其特征在于,所述遮光层位于所述第一柔性基板和所述第一阻隔层之间,和/或所述第一阻隔层和所述第二柔性基板之间,和/或所述第二柔性基板和所述第二阻隔层之间。
4.根据权利要求1所述的柔性阵列基板,其特征在于,形成所述遮光层的材料为钼。
5.一种显示装置,其特征在于,包括权利要求1-4任一项所述的柔性阵列基板。
6.一种制备柔性阵列基板的方法,其特征在于,包括:
形成刚性基板,所述刚性基板具有第二表面;
形成第一柔性基板,所述第一柔性基板位于所述第二表面上;
形成薄膜晶体管,所述薄膜晶体管位于所述第一柔性基板远离所述刚性基板的一侧;
形成阵列分布的多个遮光层,所述遮光层位于所述第一柔性基板与所述薄膜晶体管之间,所述遮光层在所述第一柔性基板上的正投影覆盖所述薄膜晶体管的沟道区在所述第一柔性基板上的正投影,且相邻所述遮光层之间的距离大于激光剥离的激光波长,
形成缓冲层,所述缓冲层位于所述遮光层与所述薄膜晶体管之间;
形成第一阻隔层,所述第一阻隔层位于所述遮光层与所述缓冲层之间,或所述第一柔性基板与所述遮光层之间;
形成第二柔性基板和第二阻隔层,所述第二柔性基板位于所述第一阻隔层远离所述刚性基板的一侧,所述第二阻隔层位于所述第二柔性基板远离所述刚性基板的一侧;
其中,所述第一阻隔层包括:
第一子阻隔层,所述第一子阻隔层位于所述第一柔性基板远离所述刚性基板的一侧;
第二子阻隔层,所述第二子阻隔层位于所述第一子阻隔层远离所述刚性基板的一侧,
所述遮光层位于所述第一柔性基板和所述第一阻隔层之间,和/或所述第一阻隔层和所述第二柔性基板之间,和/或所述第二柔性基板和所述第二阻隔层之间,和/或所述第一子阻隔层和所述第二子阻隔层之间。
7.根据权利要求6所述的方法,其特征在于,所述遮光层位于所述第一柔性基板和所述第一阻隔层之间,和/或所述第一阻隔层和所述第二柔性基板之间,和/或所述第二柔性基板和所述第二阻隔层之间。
8.根据权利要求6或7所述的方法,其特征在于,还包括利用激光剥离去除所述刚性基板的步骤。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于京东方科技集团股份有限公司,未经京东方科技集团股份有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201711341653.6/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:蓄电池SOC的估算方法、系统及存储介质
- 下一篇:一种车辆控制系统
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的