[发明专利]硅片退火用托盘机构

说明书

技术领域

本发明涉及硅片加工技术领域，具体涉及一硅片退火用的托盘机构。

背景技术

硅片中含有氧，氧有吸取杂质的作用，对硅片进行退火处理，能够促进存留于硅中的氧向外扩散，在硅片表面形成低氧环境(洁净区)，从而减少甚至能够消除由氧造成的晶体缺陷，有利于后期器件制造，另外，硅片退火能够对其电阻率及少子寿命造成影响。

目前发现在硅片退火过程中，如保持其处于通电状态，能够使得硅片的退火效果更好，具备更优越的性能，但目前还没有硅片退火设备对此制造出相应的装置，因此急需一种硅片退火设备来解决这一问题。

发明内容

本发明目的在于提供一种硅片退火用托盘机构，其能够在硅片退火的同时，对硅片进行通电处理，提高退火效果，进一步提高硅片的性能，并且延长硅片使用寿命。

为了解决现有技术中的这些问题，本发明提供的技术方案是：

一种硅片退火用托盘机构，包括若干个摞放在一起的托盘，所述托盘包括云母制成的硅片定位板，硅片定位板限定出用于存放硅片的空腔，在所述空腔内固定有第一导电板，在金属导电板的底部固定连接有导电柱，所述导电柱的另一端固定连接有第二导电板，所述第二导电板用于与下层托盘中的硅片接触导通。

对于上述技术方案，发明人还有进一步的优化措施。

进一步地，所述导电柱包括衬套、连接销以及弹簧，所述衬套固定在所述第一导电板的下方，所述连接销与所述衬套滑动配合，所述连接销的底端固定连接第二导电板，用来提供张紧力的所述弹簧套接在所述连接销外侧。

进一步地，所述托盘中设有多个独立的用于存放硅片的空腔，每个空腔旁的硅片定位板上开有上下贯穿的通孔，位于底部的托盘的通孔内具有与相邻空腔内的第一导电板电连接的导电金属构成导电孔，所述托盘机构还包括多个电极连接杆，每个所述电极连接杆竖直穿过所述若干个上层托盘上的通孔并最终插在所述导电孔内，其中，每一所述电极连接杆与所述底部托盘中一个空腔内的第一导电板电连接，构成独立的通电回路。

更进一步地，位于顶部的所述上层托盘中的硅片与外部电连接，各托盘上对应空腔内的硅片、第一导电板、导电柱、第二导电板以及电极连接杆构成独立的通电回路。

进一步地，所述托盘包括底部托盘和摞放在所述底部托盘上的若干个上层托盘，所述底部托盘的下方为平整的平板基座，所述底部托盘的四角设置有插孔，所述上层托盘的下方对应于所述插孔的位置设置有可插入插孔的定位柱，且所述上层托盘的上方四角同样设置有插孔。

更进一步地，所述托盘机构还包括工件盖板，所述工件盖板盖压在位于顶层的托盘内的硅片上。

相比于现有技术中的解决方案，本发明优点是：

本发明通过各层托盘上的导电板将层与层之间所放置的硅片串联起来，再结合与最底部托盘导电板连通的电极连接杆，构成与外界电源导通的通电回路，能够使得硅片的退火同时保持其通电状态，进而提高硅片退火效果，提升硅片性能，提高产品竞争力。

另外，上层托盘底部所设置的导电柱及第二导电板能够紧密串联相邻两层托盘上的硅片，提高连接可靠性，且能够适用于不同数量、不同厚度的硅片，适应调整性强。

附图说明

下面结合附图及实施例对本发明作进一步描述：

图1为本发明一个实施例的硅片退火用托盘机构的整体结构示意图；

图2为图1所示的硅片退火用托盘机构中底部托盘的结构示意图；

图3为图2所示底部托盘的剖面结构示意图；

图4为图1所示的硅片退火用托盘机构中上层托盘的结构示意图；

图5为图2所示底部托盘的剖面结构示意图。

其中：

1、托盘；11、插孔；12、定位柱；2、底部托盘；21、固定电极连接杆用的导电孔；3、上层托盘；31、穿电极连接杆用的通孔；4、硅片；5、第一导电板；6、导电柱；61、衬套；62、连接销；63、弹簧；7、第二导电板；8、电极连接杆；9、硅片定位板；10、工件盖板。

具体实施方式

以下结合具体实施例对上述方案做进一步说明。应理解，这些实施例是用于说明本发明而不限于限制本发明的范围。实施例中采用的实施条件可以根据具体厂家的条件做进一步调整，未注明的实施条件通常为常规实验中的条件。

实施例：