[发明专利]一种提高PCVD工艺沉积均匀性的方法

权利要求书

1.一种提高PCVD工艺沉积均匀性的方法，将纯二氧化硅玻璃衬管的两端分别焊接气端延长管和泵端延长管，将焊接后的玻璃衬管装夹到PCVD车床上，玻璃衬管穿过微波谐振腔且玻璃衬管的沉积段位于保温炉炉膛内，玻璃衬管的两端分别与气端旋转夹头和泵端旋转夹头密封相连，旋转夹头带动玻璃衬管旋转，保温炉开始加温至设定的温度值，PCVD沉积开始，其特征在于在气端旋转夹头与保温炉气端炉口之间的气端延长管上增设一段预热管段，所述的预热管段近保温炉炉口，对应预热管段设置加温装置，通过加温装置对经过预热管段进入玻璃衬管沉积段的反应气体进行预热，预热后的反应气体进入玻璃衬管的沉积段参与沉积反应，直至沉积完毕。

2.按权利要求1所述的提高PCVD工艺沉积均匀性的方法，其特征在于所述的加温装置为电热加温装置，包括电热丝加温装置、碳棒加温装置或者红外加温装置。

3.按权利要求1或2所述的提高PCVD工艺沉积均匀性的方法，其特征在于所述的加温装置为套装加温装置或C型开口加温装置。

4.按权利要求1或2所述的提高PCVD工艺沉积均匀性的方法，其特征在于所述的加温装置的加温温度为900~1200℃。

5.按权利要求1或2所述的提高PCVD工艺沉积均匀性的方法，其特征在于所述加温装置的轴向长度L为100~500mm，内腔与玻璃衬管预热管段外径相配置。

6.按权利要求5所述的提高PCVD工艺沉积均匀性的方法，其特征在于所述加温装置的一侧端口与气端旋转夹头的间隔距H大于或等于150mm。

7.按权利要求1或2所述的提高PCVD工艺沉积均匀性的方法，其特征在于所述的加温装置与温度控制器PID相联。

8.按权利要求1或2所述的提高PCVD工艺沉积均匀性的方法，其特征在于所述的预热管段长度与加温装置的轴向长度相同或相近，所述的预热管段与气端延长管相连成一体，或为气端延长管的延伸。

9.按权利要求1或2所述的提高PCVD工艺沉积均匀性的方法，其特征在于所述的气端延长管和预热管段均由纯石英玻璃管构成，SiO2含量大于99.0%。

10.按权利要求1或2所述的提高PCVD工艺沉积均匀性的方法，其特征在于沉积时保温炉内气端炉温为985~990℃，中间炉温为970~980℃，泵端炉温为1000~1010℃。