[发明专利]封装的形成方法有效
申请号: | 201711329337.7 | 申请日: | 2017-12-13 |
公开(公告)号: | CN108217580B | 公开(公告)日: | 2022-11-22 |
发明(设计)人: | 陈禹睿;王乙翕;李仁铎;刘人豪 | 申请(专利权)人: | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
主分类号: | B81C3/00 | 分类号: | B81C3/00;B81B7/00 |
代理公司: | 南京正联知识产权代理有限公司 32243 | 代理人: | 顾伯兴 |
地址: | 中国台湾新竹科*** | 国省代码: | 台湾;71 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 封装 形成 方法 | ||
一种封装的形成方法包括:提供上面形成有多个第一半导体装置的第一衬底;提供上面形成有多个第二半导体装置的第二衬底;以及通过使所述第一衬底及所述第二衬底各自的虚拟垫接触来将所述第一衬底与所述第二衬底耦合,其中所述第一衬底的所述虚拟垫及所述第二衬底的所述虚拟垫中的至少一者包括多个峰与谷。
技术领域
本发明实施例涉及一种封装的形成方法。
背景技术
微机电系统(micro-electro-mechanical system,MEMS)装置(例如加速计、压力传感器及陀螺仪)在现代的许多电子装置中已得到广泛使用。举例来说,微机电系统加速计常见于汽车中(例如,安全气囊展开系统中)、平板计算机中、或智能电话中。对于许多应用,微机电系统装置被电连接到专用集成电路(application-specific integrated circuit,ASIC),以形成完整的微机电系统。
发明内容
本发明实施例的一种封装的形成方法包括:提供上面形成有多个第一半导体装置的第一衬底;提供上面形成有多个第二半导体装置的第二衬底;以及通过使所述第一衬底及所述第二衬底各自的虚拟垫接触来将所述第一衬底与所述第二衬底耦合,其中所述第一衬底的所述虚拟垫及所述第二衬底的所述虚拟垫中的至少一者包括多个峰与谷。
附图说明
结合附图阅读以下详细说明,会最佳地理解本发明的各方面。应注意,各种特征未必按比例绘制。事实上,为使论述清晰起见,可任意增大或减小各种特征的尺寸。
图1A说明根据一些实施例,待形成微机电系统(MEMS)封装的俯视图。
图1B说明根据一些实施例,图1A所示待形成微机电系统封装的剖视图。
图1C说明根据一些实施例,图1A所示微机电系统封装的两个粗糙化顶表面的部分的放大视图。
图1D说明根据一些实施例,当图1C所示两个粗糙化顶表面接触时所形成的界面的一部分的放大视图。
图2说明根据一些实施例,形成图1A所示微机电系统封装的方法的流程图。
图3A、图3B、图3C、图3D、图3E、图3F、图3G、图3H及图3I是根据一些实施例,通过图2所示方法制作的示例性微机电系统封装的剖视图。
图4说明根据一些实施例,图1A所示微机电系统封装的虚拟微机电系统垫的及虚拟互补金属氧化物半导体(complementary metal-oxide-semiconductor,CMOS)垫的多个替代构形。
具体实施方式
本发明提供用于实作本发明的不同特征的许多不同的实施例或实例。以下阐述组件及构造的具体实例以简化本发明。当然,这些仅为实例且不旨在进行限制。例如,以下说明中将第一特征形成在第二特征之上或第二特征上可包括其中第一特征与第二特征被形成为直接接触的实施例,且也可包括其中第一特征与第二特征之间可形成有额外特征、从而使得所述第一特征与所述第二特征可能不直接接触的实施例。另外,本发明可能在各种实例中重复使用参考编号及/或字母。这种重复使用是出于简洁及清晰的目的,而不是自身表示所论述的各种实施例及/或配置之间的关系。
此外,为易于说明,本文中可能使用例如“在...下方(beneath)”、“在...下面(below)”、“下部的(lower)”、“上方(above)”、“上部的(upper)”等空间相对性用语来阐述图中所说明的一个元件或特征与另一(些)元件或特征的关系。所述空间相对性用语旨在除图中所绘示的取向外还囊括装置在使用或操作中的不同取向。设备可具有其他取向(旋转90度或其他取向),且本文中所用的空间相对性描述语可同样相应地进行解释。
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