[发明专利]封装的形成方法

权利要求书

1.一种封装的形成方法，其特征在于，包括：

提供上面形成有多个第一半导体装置的第一衬底；

提供上面形成有多个第二半导体装置的第二衬底；

将由所述第一衬底向外延伸的第一虚拟垫的顶表面粗糙化，其中所述第一虚拟垫被形成为在所述多个第一半导体装置周围的环形构形；

将由所述第二衬底向外延伸的第二虚拟垫的顶表面粗糙化，其中所述第二虚拟垫被形成为在所述多个第二半导体装置周围的环形构形；

提供由所述第一衬底向外延伸的第一结合垫，所述第一结合垫被所述第一虚拟垫环绕；

提供由所述第二衬底向外延伸的第二结合垫，所述第二结合垫被所述第二虚拟垫环绕，其中所述第一结合垫及所述第二结合垫被定位成当所述第一衬底与所述第二衬底彼此耦合时能彼此结合；

通过使所述第一虚拟垫与所述第二虚拟垫的粗糙的所述顶表面彼此接触以限制所述第一衬底与所述第二衬底之间的横向移位来将所述第一衬底与所述第二衬底耦合，

其中所述第一衬底及所述第二衬底的所述第一虚拟垫与所述第二虚拟垫的所述顶表面中的每一者包括多个峰与谷；以及

在所述第二衬底的顶表面的边缘周围设置金属板，用于防止在所述第一衬底及所述第二衬底耦合之后产生于所述第一衬底及所述第二衬底之间的横向移位。

2.根据权利要求1所述的形成方法，其特征在于，所述第一半导体装置包括微机电系统装置。

3.根据权利要求1所述的形成方法，其特征在于，所述第二半导体装置包括互补金属氧化物半导体电路。

4.根据权利要求1所述的形成方法，其特征在于，在将所述第一衬底与所述第二衬底耦合之前，所述方法进一步包括：翻转所述第二衬底，并将所述第一半导体装置与所述第二半导体装置对准。

5.根据权利要求1所述的形成方法，其特征在于，所述第一衬底的所述第一虚拟垫设置在所述第一衬底上其中不存在所述多个第一半导体装置的非有源区中。

6.根据权利要求1所述的形成方法，其特征在于，所述第二衬底的所述第二虚拟垫设置在所述第二衬底上其中不存在所述多个第二半导体装置的非有源区中。

7.根据权利要求1所述的形成方法，其特征在于，所述将所述第一衬底与所述第二衬底耦合进一步包括：在高温下将所述第一结合垫及所述第二结合垫彼此结合。

8.根据权利要求7所述的形成方法，其特征在于，进一步包括：在将所述第一结合垫及所述第二结合垫结合之前，在所述第一衬底的所述第一结合垫的顶表面上形成共熔层。

9.一种封装的形成方法，其特征在于，包括：

提供上面形成有多个第一半导体装置的第一衬底，其中所述多个第一半导体装置至少部分地被多个第一虚拟垫环绕，所述多个第一虚拟垫被排列为在所述多个第一半导体装置周围的环形构形；

提供上面形成有多个第二半导体装置的第二衬底，其中所述多个第二半导体装置至少部分地被多个第二虚拟垫环绕，所述多个第二虚拟垫被排列为在所述多个第二半导体装置周围的环形构形；

将所述多个第一虚拟垫中的每一者的顶表面粗糙化；

将所述多个第二虚拟垫中的每一者的顶表面粗糙化；

提供由所述第一衬底向外延伸的第一结合垫，所述第一结合垫至少部分地被所述多个第一虚拟垫环绕；

提供由所述第二衬底向外延伸的第二结合垫，所述第二结合垫至少部分地被所述多个第二虚拟垫环绕，其中所述第一结合垫及所述第二结合垫被定位成当所述第一衬底与所述第二衬底彼此耦合时能彼此结合；

通过使所述多个第一虚拟垫与所述多个第二虚拟垫各自的顶表面彼此接触以限制所述第一衬底与所述第二衬底之间的横向移位来将所述第一衬底与所述第二衬底耦合，其中所述多个第一虚拟垫及所述多个第二虚拟垫的所述顶表面中的每一个包括多个峰与谷；以及

在所述第二衬底的顶表面的边缘周围设置金属板，用于防止在所述第一衬底及所述第二衬底耦合之后产生于所述第一衬底及所述第二衬底之间的横向移位。