[发明专利]有机电致发光器件的封装结构及制作方法

权利要求书

1.一种有机电致发光器件的封装结构，其特征在于，包括相对设置的衬底基板和封装盖板以及封装于所述衬底基板和所述封装盖板之间的位于所述衬底基板上的有机电致发光器件；

所述封装盖板具有用于容纳所述有机电致发光器件的第一凹槽以及围绕所述第一凹槽的环形凹槽，所述第一凹槽的底部设有无机复合薄膜，所述无机复合薄膜包括多层交替层叠的SiO₂层和TiO₂层；

所述有机电致发光器件的表面具有透明疏水纳米薄膜层，所述透明疏水纳米薄膜层上还设有透明液体干燥剂层。

2.根据权利要求1所述的有机电致发光器件的封装结构，其特征在于，所述SiO₂层的厚度为20nm-200nm，和/或，所述TiO₂层的厚度为20nm-200nm；所述SiO₂层和所述TiO₂层的层数总和为2-8层。

3.根据权利要求1所述的有机电致发光器件的封装结构，其特征在于，所述无机复合薄膜中与所述封装盖板接触的第一层是所述TiO₂层。

4.根据权利要求1-3任一项所述的有机电致发光器件的封装结构，其特征在于，所述第一凹槽的边缘与所述封装盖板的边缘之间距离为1mm-20mm，所述第一凹槽的深度小于所述封装盖板厚度的一半。

5.根据权利要求1-3任一项所述的有机电致发光器件的封装结构，其特征在于，所述环形凹槽的深度为0.1mm-2mm，宽度为0.1mm-2mm。

6.根据权利要求1-3任一项所述的有机电致发光器件的封装结构，其特征在于，所述透明疏水纳米薄膜层的材料选自氟化甲氧基硅烷、氟化甲基硅烷、改性氧化硅、聚苯乙烯-聚二甲硅氧烷，甲基丙烯酸羟乙酯-聚二甲硅氧烷或聚(丙烯胺盐酸盐)改性二氧化硅。

7.根据权利要求6所述的有机电致发光器件的封装结构，其特征在于，所述透明液体干燥剂层的成分包括聚甲基丙烯酸甲酯、氯化钙以及纳米氧化钙。

8.权利要求1-7任一项所述的封装结构的制作方法，其特征在于，包括如下步骤：

获取衬底基板，于所述衬底基板上制备有机电致发光器件；

获取封装盖板，所述封装盖板具有用于容纳所述有机电致发光器件的第一凹槽以及围绕所述第一凹槽的环形凹槽；于所述第一凹槽的底部沉积形成无机复合薄膜，所述无机复合薄膜包括多层交替层叠的SiO₂层和TiO₂层；

于所述衬底基板上涂覆环形框胶，所述环形框胶对位于所述环形凹槽外侧边缘，所述环形框胶具有缺口，所述缺口的宽度为1mm-5mm；

在氮气氛围下，将所述封装盖板对位压合于所述衬底基板，并且抽真空封装，加热使所述环形框胶固化，使所述缺口封闭，即得所述有机电致发光器件的封装结构。

9.根据权利要求8所述的制作方法，其特征在于，所述无机复合薄膜的沉积工艺条件为：

TiO₂层采用磁控溅射沉积：采用高纯钛靶，用O₂作为反应气，Ar作为溅射气，靶基距20-100mm，衬底温度为50-200℃，溅射功率为100-300W，反应时间为15-60min；

和/或，SiO₂层采用PECVD法沉积：SiH₄和N₂O作为反应气体，衬底温度为50-300℃，反应时间为5-15min，腔室压力为0.1-20Pa。

10.根据权利要求8或9所述的制作方法，其特征在于，所述有机电致发光器件的表面还沉积形成透明疏水纳米薄膜层；和/或，所述透明疏水纳米薄膜层还沉积形成透明液体干燥剂层。