[发明专利]晶圆加工机的二次整平设备在审
申请号: | 201711328992.0 | 申请日: | 2017-12-13 |
公开(公告)号: | CN109920719A | 公开(公告)日: | 2019-06-21 |
发明(设计)人: | 邱瑞良 | 申请(专利权)人: | 大量科技(涟水)有限公司 |
主分类号: | H01L21/02 | 分类号: | H01L21/02;H01L21/67 |
代理公司: | 北京科龙寰宇知识产权代理有限责任公司 11139 | 代理人: | 孙皓晨;李林 |
地址: | 223400 江苏省淮*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 晶圆 受压 复数 吸附 吸力 平整 吸附装置 整平设备 平坦面 退避 整平 感知 平坦 独立升降 晶圆加工 位移调整 吸附定位 加工机 空心柱 再同步 移动 翘曲 种晶 磨损 加工 | ||
本发明提供一种晶圆加工机的二次整平设备,具有初次均吸装置及二次平整吸附装置,初次均吸装置具有平均吸附组成及感知移动组成,二次平整吸附装置具有受压平坦面、退避空间,及设于受压平坦面上的复数吸力孔,平均吸附组成的复数独立空心柱受感知移动组成带动接触并吸附晶圆后,各自独立升降位移调整对晶圆产生初次整平作用,再同步位移至退避空间内,使晶圆靠近受压平坦面,受分布密度较高的复数吸力孔吸附定位于受压平坦面上,让晶圆经过二次整平后更趋近于平整,且不易磨损、损坏晶圆,并适用于各种翘曲形状的晶圆,使晶圆的加工更加顺利。
技术领域
本发明涉及一种晶圆加工机的二次整平设备,尤指设置有初次均吸装置以及二次平整吸附装置,让晶圆经过二次整平后更趋近于平整,且不易磨损、损坏晶圆,并适用于各种翘曲形状的晶圆,使晶圆的加工更加顺利。
背景技术
一般晶圆于进行加工(例如:雷射切割)时,其切割下来的晶粒切割面是否整平,取决于晶圆后断面的平齐度,因此,晶圆于切割以前必须进行整平作业,一般整平作业系将翘曲的晶圆以压板直接压平于抵靠座上,再凭借抵靠座上所设置的复数吸力孔将晶圆吸附定位于抵靠座表面作整平,但每个晶圆翘曲的形状与程度不同,因此上述压板在对不同翘曲程度与形状的晶圆进行压制时,容易出现压制力不足或过多的情况,导致无效果或晶圆损坏;再者,上述压板与晶圆的接触面积较大,因此,容易于压平晶圆的过程中产生摩擦而磨损晶圆。
发明内容
本发明的主要目的乃在于,利用初次均吸装置的复数独立空心柱吸附晶圆,再各自独立升降拉动晶圆作第一次整平,然后带动晶圆靠近二次平整吸附装置作第二次整平,让晶圆经过二次整平而更趋近于平整,且复数独立空心柱与晶圆的接触面积小,不易磨损、损坏晶圆,并适用于各种翘曲形状的晶圆,使晶圆的加工更加顺利。
为达上述目的,本发明提供一种晶圆加工机的二次整平设备,包含有初次均吸装置以及二次平整吸附装置,该初次均吸装置具有平均吸附组成以及感知移动组成,平均吸附组成具有复数独立空心柱,感知移动组成用于驱动复数独立空心柱位移,而二次平整吸附装置具有一受压平坦面以及退避空间,且受压平坦面上密集布设有复数吸力孔;前述初次均吸装置的复数独立空心柱受感知移动组成带动各自独立与晶圆接触后,吸附晶圆并位移调整至复数独立空心柱末端与受压平坦面等距,对晶圆产生初次整平作用,再同步位移进入退避空间内,使晶圆靠近受压平坦面,受复数吸力孔吸附定位于受压平坦面上。
前述晶圆加工机的二次整平设备,其中该二次平整吸附装置具有抵靠座,受压平坦面系形成于抵靠座表面,而退避空间是复数个散布于受压平坦面上的穿孔。
前述晶圆加工机的二次整平设备,其中该初次均吸装置的感知移动组成具有复数个驱动器,复数个驱动器各自独立,且分别连接平均吸附组成的各独立空心柱。
前述晶圆加工机的二次整平设备,其中该初次均吸装置的感知移动组成具有复数个侦测器,复数侦测器分别连接平均吸附组成的各独立空心柱,当侦测器侦测到独立空心柱接触并吸附晶圆时,会停止独立空心柱继续移动。
前述晶圆加工机的二次整平设备,其中该初次均吸装置的平均吸附组成具有复数个用于接触晶圆表面的伸缩吸盘,复数伸缩吸盘分别连接于各独立空心柱末端,且复数独立空心柱连接有吸力装置,使伸缩吸盘产生吸附力。
前述晶圆加工机的二次整平设备,其进一步设置有吸附式搬移装置,当吸附式搬移装置移动抵靠于二次平整吸附装置的受压平坦面上的晶圆上方时,复数吸力孔会停止吸附晶圆,供吸附式搬移装置吸取晶圆作搬移。
综上所述,本发明利用初次均吸装置的复数独立空心柱末端吸附晶圆,再各自独立升降拉动晶圆作第一次整平,然后带动晶圆靠近二次平整吸附装置,被分布密度高的复数吸力孔吸附,作第二次整平,让晶圆经过二次整平而更趋近于平整,且复数独立空心柱末端与晶圆的接触面积小,不易磨损、损坏晶圆,并适用于各种翘曲形状的晶圆,使晶圆的加工更加顺利。
附图说明
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造