[发明专利]晶圆加工机的二次整平设备在审
| 申请号： | 201711328992.0 | 申请日： | 2017-12-13 |
| 公开（公告）号： | CN109920719A | 公开（公告）日： | 2019-06-21 |
| 发明（设计）人： | 邱瑞良 | 申请（专利权）人： | 大量科技(涟水)有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;H01L21/67 |
| 代理公司： | 北京科龙寰宇知识产权代理有限责任公司 11139 | 代理人： | 孙皓晨;李林 |
| 地址： | 223400 江苏省淮*** | 国省代码： | 江苏;32 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 晶圆 受压 复数 吸附 吸力 平整 吸附装置 整平设备 平坦面 退避 整平 感知 平坦 独立升降 晶圆加工 位移调整 吸附定位 加工机 空心柱 再同步 移动 翘曲 种晶 磨损 加工 | ||
1.一种晶圆加工机的二次整平设备，其特征是包含有初次均吸装置以及二次平整吸附装置，该初次均吸装置具有平均吸附组成以及感知移动组成，平均吸附组成具有复数独立空心柱，感知移动组成用于驱动复数独立空心柱位移，而二次平整吸附装置具有一受压平坦面以及退避空间，且受压平坦面上密集布设有复数吸力孔，前述初次均吸装置的复数独立空心柱受感知移动组成带动各自独立与晶圆接触后，吸附晶圆并位移调整至复数独立空心柱末端与受压平坦面等距，对晶圆产生初次整平作用，再同步位移进入退避空间内，使晶圆靠近受压平坦面，受复数吸力孔吸附定位于受压平坦面上。
2.如权利要求1所述晶圆加工机的二次整平设备，其特征在于：该二次平整吸附装置具有抵靠座，受压平坦面系形成于抵靠座表面，而退避空间是复数个散布于受压平坦面上的穿孔。
3.如权利要求1所述晶圆加工机的二次整平设备，其特征在于：该初次均吸装置的感知移动组成具有复数个驱动器，复数个驱动器各自独立，且分别连接平均吸附组成的各独立空心柱。
4.如权利要求1所述晶圆加工机的二次整平设备，其特征在于：该初次均吸装置的感知移动组成具有复数个侦测器，复数侦测器分别连接平均吸附组成的各独立空心柱，当侦测器侦测到独立空心柱接触并吸附晶圆时，会停止独立空心柱继续移动。
5.如权利要求1所述晶圆加工机的二次整平设备，其特征在于：该初次均吸装置的平均吸附组成具有复数个用于接触晶圆表面的伸缩吸盘，复数伸缩吸盘分别连接于各独立空心柱末端，且复数独立空心柱连接有吸力装置，使伸缩吸盘产生吸附力。
6.如权利要求1所述晶圆加工机的二次整平设备，其特征在于：还设置有吸附式搬移装置，当吸附式搬移装置移动抵靠于二次平整吸附装置的受压平坦面上的晶圆上方时，复数吸力孔会停止吸附晶圆，供吸附式搬移装置吸取晶圆作搬移。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于大量科技(涟水)有限公司，未经大量科技(涟水)有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201711328992.0/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种制备石墨烯-氮化硼复合薄膜的方法
- 下一篇：一种ITO膜层的后处理方法
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
