[发明专利]鳍式场效应晶体管的制作方法

说明书

本发明提供了一种鳍式场效应晶体管的制作方法，包括：提供SOI基底，并在所述SOI基底形成台阶部；基于所述SOI基底的台阶部形成高度不同的鳍部；在所述鳍部表面形成栅介质层，并在所述栅介质层表面形成栅极；采用倾斜角度注入的方式分别对所述鳍部两侧进行离子注入，以在所述鳍部形成源区和漏区。本发明提供的鳍式场效应晶体管的制作方法可以解决相邻鳍式场效应晶体管的鳍部的阴影效应。

【技术领域】

本发明涉及半导体芯片制造技术领域，特别地，涉及一种鳍式场效应晶体管的制作方法。

【背景技术】

鳍式场效应晶体管(FinFET)是一种具有鳍型沟道结构的场效应晶体管。在鳍式场效应晶体管中，鳍部(Fin)垂直地形成在硅衬底表面，且鳍部作为沟道，栅极通过覆盖在鳍表面来控制沟道。

在鳍式场效应晶体管的制作工艺流程中，当对鳍式场效应晶体管进行源区和漏区的离子注入时，要求在鳍部的顶部和侧面都注入离子，一般而言，鳍式场效应晶体管的鳍部高而且窄，所以通常会采用倾斜角度离子注入的方式进行源区和漏区的离子注入。但是在实际的芯片中，往往存在多个鳍式场效应晶体管密集排布的情况，此时由于相邻的鳍的影响，在同时对芯片的多个鳍式场效应晶体管进行源区和漏区注入时，相邻鳍式场效应晶体管容易存在注入阴影效应的影响，即是鳍式场效应晶体管的鳍部会阻挡住相邻的鳍式场效应晶体管的源区和漏区的倾斜角度离子注入路径。

]对于上述情况，常规的解决方法是加大相邻鳍式场效应晶体管之间的间距，然而，采用增加间距的方式虽然能解决源漏注入阴影效应，但是会浪费芯片面积，影响芯片的集成度，提高芯片整体成本。

]有鉴于此，有必要提供一种鳍式场效应晶体管的制作方法，以解决现有技术存在的上述问题。

【发明内容】

本发明的其中一个目的在于为解决上述问题而提供一种鳍式场效应晶体管的制作方法。

]本发明提供的鳍式场效应晶体管的制作方法，包括：提供SOI基底，并在所述SOI基底形成台阶部；基于所述SOI基底的台阶部形成高度不同的鳍部；在所述鳍部表面形成栅介质层，并在所述栅介质层表面形成栅极；采用倾斜角度注入的方式分别对所述鳍部两侧进行离子注入，以在所述鳍部形成源区和漏区。

作为在本发明提供的鳍式场效应晶体管的制作方法的一种改进，在一种优选实施例中，还包括：通过热处理使得所述源区和漏区的离子激活并扩散。

作为在本发明提供的鳍式场效应晶体管的制作方法的一种改进，在一种优选实施例中，所述热处理的温度为500℃～1200℃。

作为在本发明提供的鳍式场效应晶体管的制作方法的一种改进，在一种优选实施例中，所述提供SOI基底，并在所述SOI基底形成台阶部的步骤包括：提供一个SOI基底，所述SOI基底包括背衬底、形成在所述背衬底表面的绝缘氧化埋层以及形成在所述绝缘氧化埋层表面的顶层硅；通过对所述顶层硅进行光刻处理，来在所述SOI基底形成高度不同的台阶部。

作为在本发明提供的鳍式场效应晶体管的制作方法的一种改进，在一种优选实施例中，所述台阶部包括具有第一高度的第一台阶和具有第二高度的第二台阶，其中所述第一高度对应于高鳍的高度，而所述第二高度对应于矮鳍的高度。

作为在本发明提供的鳍式场效应晶体管的制作方法的一种改进，在一种优选实施例中，所述高度不同的鳍部包括具有第一高度的高鳍和具有第二高度的矮鳍，所述高鳍是基于所述台阶部的第一台阶进行光刻处理形成的，而所述矮鳍是基于所述台阶部的第二台阶进行光刻处理形成的。

]作为在本发明提供的鳍式场效应晶体管的制作方法的一种改进，在一种优选实施例中，所述采用倾斜角度注入的方式分别对所述鳍部两侧进行离子注入包括：从所述高鳍和所述矮鳍的一侧进行倾斜角度的离子注入；在上述一侧注入完成之后，再从所述高鳍和所述矮鳍的另一侧进行倾斜角度的离子注入。