[发明专利]鳍式场效应晶体管的制作方法

权利要求书

1.一种鳍式场效应晶体管的制作方法，其特征在于，包括：

提供SOI基底，并在所述SOI基底形成台阶部；

基于所述SOI基底的台阶部形成高度不同的鳍部；

在所述鳍部表面形成栅介质层，并在所述栅介质层表面形成栅极；

采用倾斜角度注入的方式分别对所述鳍部两侧进行离子注入，以在所述鳍部形成源区和漏区；

所述提供SOI基底，并在所述SOI基底形成台阶部的步骤包括：

提供一个SOI基底，所述SOI基底包括背衬底、形成在所述背衬底表面的绝缘氧化埋层以及形成在所述绝缘氧化埋层表面的顶层硅；

通过对所述顶层硅进行光刻处理，来在所述SOI基底形成高度不同的台阶部；

所述台阶部包括具有第一高度的第一台阶和具有第二高度的第二台阶，其中所述第一高度对应于高鳍的高度，而所述第二高度对应于矮鳍的高度；所述高度不同的鳍部包括具有第一高度的高鳍和具有第二高度的矮鳍，所述高鳍是基于所述台阶部的第一台阶进行光刻处理形成的，而所述矮鳍是基于所述台阶部的第二台阶进行光刻处理形成的；

所述采用倾斜角度注入的方式分别对所述鳍部两侧进行离子注入包括：

从所述高鳍和所述矮鳍的一侧进行倾斜角度的离子注入；

在上述一侧注入完成之后，再从所述高鳍和所述矮鳍的另一侧进行倾斜角度的离子注入；

所述高鳍和其相邻的矮鳍之间的距离L1、注入角度θ和所述高鳍和所述矮鳍之间的高度差h3之间满足：

L1 ≥ tgθ * h3；

所述高鳍和所述矮鳍之间的距离L1、注入角度θ和所述矮鳍的高度h2之间满足：

L1 ≥ tgθ * h2。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，还包括：通过热处理使得所述源区和漏区的离子激活并扩散。

3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述热处理的温度为500℃~1200℃。

4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，相邻两个矮鳍之间的距离L2、注入角度θ和所述矮鳍的高度h2之间满足：

L2 ≥ tgθ * h2。