[发明专利]对位方法和装置有效
申请号: | 201711325587.3 | 申请日: | 2017-12-13 |
公开(公告)号: | CN108091603B | 公开(公告)日: | 2020-07-21 |
发明(设计)人: | 谷春生;赵鑫;黄俊杰 | 申请(专利权)人: | 京东方科技集团股份有限公司;鄂尔多斯市源盛光电有限责任公司 |
主分类号: | H01L21/68 | 分类号: | H01L21/68 |
代理公司: | 北京律智知识产权代理有限公司 11438 | 代理人: | 邢雪红;王卫忠 |
地址: | 100015 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 对位 方法 装置 | ||
本公开涉及显示技术和半导体制造技术领域,提供一种对位方法和装置,对位方法包括将基板贴附于可升降的冷却板的下表面,并使基板随动于冷却板;降低冷却板和基板的高度以使基板靠近掩模板;将基板和掩模板进行对位;如对位无法完成,则提高冷却板和基板的高度;根据基板相对于掩模板的偏移量对冷却板进行调整;以及再次降低冷却板和基板的高度,重新将基板和掩模板进行对位。本公开的对位方法通过四点支撑自动调节,即自动调节冷却板和基板的水平度,提高对位成功率,减少对位次数,提高执行率,更加有效的减少因三点支撑带来的产能损失。
技术领域
本公开涉及显示技术和半导体制造技术领域,具体而言,涉及一种对位方法和装置。
背景技术
在平板显示技术中,有机发光二极管(OrganicLight-EmittingDiode,OLED)显示器是一种通过载流子注入和复合导致有机材料发光的显示器件。以其轻薄、主动发光、快响应速度、广视角、色彩丰富及高亮度、低功耗、耐高低温等众多优点而被业界公认为是继液晶显示器(LCD)之后的第三代显示技术。主动式OLED(ActiveMatrixOLED,AMOLED)也称为有源矩阵OLED,AMOLED因通过在每个像素中集成薄膜晶体管(TFT)和电容器并由电容器维持电压的方法进行驱动,因而可以实现大尺寸、高分辨率面板,是当前研究的重点及未来显示技术的发展方向。随着近代显示技术的不断发展,从LCD到AMOLED,屏幕技术涉及TFT、NOVA、IPS、ASV、AMOLED以及SuperAMOLED等等,这些技术主要大都是针对显示器的分辨率、亮度、对比度、色域、相应速度、可视角、清晰度和能耗等性能的不断改进。
AMOLED作为具有较强竞争力的产品,其分辨率也不断的刷新,这对OLED的研究及生产过程中的真空蒸镀技术的要求也越来越高,其中实现掩膜板与基板的对位要求又是生产过程中的难点与重点,目前现有的蒸镀设备由于对位系统平台平坦度、控制精度、MASK平坦度及材料等因素影响,设备对位精度一般为±3~5um,并且在量产过程中的多次对位容易导致对位不良,直接影响生产效率与良率水平。
在OLED手机屏背板的制作过程中,通过传动的设备及工艺较多,单单蒸镀设备方面就有很多的有机腔室以及传送带/传送器,机器人/机器手、在传动过程中,背板Glass(背板玻璃)由于多种原因有可能会导致偏移,如果在第一个传动装置偏移后,那么接下来就会有更多的偏移发生,随之增加破片及无法进行的风险。
当偏移的Glass进入腔室后,在初步对位时,因为三点支撑问题,导致对位时Mark(对位标记)偏移,对位时间延长甚至无法进行对位作业,无法进行工艺以及正常的生产作业,直接影响量产,导致延误,随之影响OLED在生产过程中的进程。
因此,需要一种新的对位方法及装置。
在所述背景技术部分公开的上述信息仅用于加强对本公开的背景的理解,因此它可以包括不构成对本领域普通技术人员已知的现有技术的信息。
发明内容
本公开的目的在于提供一种对位方法及装置,进而至少在一定程度上克服由于相关技术的限制和缺陷而导致的一个或者多个问题。
本公开的其他特性和优点将通过下面的详细描述变得清晰,或者部分地通过本公开的实践而习得。
根据本公开的第一方面,公开一种对位方法,包括:
将基板贴附于可升降的冷却板的下表面,并使基板随动于冷却板;
降低冷却板和基板的高度以使基板靠近掩模板;
将基板和掩模板进行对位;
如对位无法完成,则提高冷却板和基板的高度;
根据基板相对于掩模板的偏移量对冷却板进行调整;以及
再次降低冷却板和基板的高度,重新将基板和掩模板进行对位。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于京东方科技集团股份有限公司;鄂尔多斯市源盛光电有限责任公司,未经京东方科技集团股份有限公司;鄂尔多斯市源盛光电有限责任公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造