[发明专利]低电容静电放电(ESD)器件有效

专利信息
申请号: 201711324726.0 申请日: 2017-12-13
公开(公告)号: CN109285829B 公开(公告)日: 2023-06-02
发明(设计)人: 李由;R·J·小戈捷;S·米特拉;M·于 申请(专利权)人: 格芯美国公司
主分类号: H01L27/02 分类号: H01L27/02
代理公司: 北京市中咨律师事务所 11247 代理人: 李峥;于静
地址: 美国加利*** 国省代码: 暂无信息
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要:
搜索关键词: 电容 静电 放电 esd 器件
【权利要求书】:

1.一种半导体结构,包括:

第一结构,包括部分地延伸在第一阱之上的第一扩散区域、第二扩散区域和第三扩散区域的图案,其中所述第一结构部分在衬底的绝缘体上半导体SOI区域的掩埋氧化物层和所述第一阱之上;以及

第二结构,包括第二阱中的第四扩散区域,所述第四扩散区域电连接到所述第一结构以在所述衬底的体区域上形成可控硅整流器SCR,其中所述第二结构所述体区域中的所述第二阱之上。

2.根据权利要求1所述的半导体结构,其中,所述第一结构是第一鳍结构,并且所述第二结构是第二鳍结构。

3.根据权利要求2所述的半导体结构,其中,所述第一扩散区域是P+扩散区域,所述第一阱是N阱区域,所述第二阱是P阱区域以及所述第四扩散是N+区域,形成PNPN SCR。

4.根据权利要求3所述的半导体结构,其中,所述第二鳍结构形成在体衬底材料的边缘处,并且所述第一鳍结构由SOI材料形成。

5.根据权利要求4所述的半导体结构,其中,所述SOI材料是完全耗尽的SOI材料。

6.根据权利要求1所述的半导体结构,其中:

所述第一结构是鳍结构;

所述第一扩散区域是P+扩散材料;

所述第二扩散区域是N+扩散材料;以及

所述第三扩散区域是P+扩散材料。

7.根据权利要求1所述的半导体结构,还包括包含所述第一扩散区域和所述第一阱的第一二极管。

8.根据权利要求7所述的半导体结构,还包括包含第二鳍结构和所述第二阱的第二二极管。

9.根据权利要求8所述的半导体结构,其中,所述第一二极管和所述第二二极管形成在所述SOI区域的所述掩埋氧化物层之上。

10.根据权利要求1所述的半导体结构,还包括包含交替扩散区域的鳍结构的第一二极管。

11.根据权利要求10所述的半导体结构,其中,所述第一二极管设置在所述SOI区域中,通过所述掩埋氧化物层与所述第一阱隔离。

12.一种半导体结构,包括:

第一结构的第一P+区域,部分地在绝缘体上半导体SOI技术中的第一N区域之上;以及

在体衬底中的第一P区域,其中,第二结构的第一N+区域形成在与SOI技术相邻的所述体衬底的边缘处。

13.根据权利要求12所述的半导体结构,其中,所述第一P+区域部分地形成在所述SOI技术的掩埋氧化物层上。

14.根据权利要求12所述的半导体结构,其中,所述第一P+区域由所述SOI技术的完全耗尽的半导体材料形成。

15.根据权利要求13所述的半导体结构,其中,所述第一结构是第一鳍结构以及所述第二结构是第二鳍结构。

16.根据权利要求13所述的半导体结构,还包括第一二极管,所述第一二极管包括在SOI区域中的所述掩埋氧化物层之上的第二P+区域和第二N区域。

17.根据权利要求16所述的半导体结构,其中,所述第一P+区域和所述第一N区域是分段的并且在所述体衬底和所述SOI区域的边缘处。

18.根据权利要求17所述的半导体结构,其中,所述第二P+区域和所述第二N区域在所述SOI区域上。

下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于格芯美国公司,未经格芯美国公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201711324726.0/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top