[发明专利]低电容静电放电(ESD)器件有效
申请号: | 201711324726.0 | 申请日: | 2017-12-13 |
公开(公告)号: | CN109285829B | 公开(公告)日: | 2023-06-02 |
发明(设计)人: | 李由;R·J·小戈捷;S·米特拉;M·于 | 申请(专利权)人: | 格芯美国公司 |
主分类号: | H01L27/02 | 分类号: | H01L27/02 |
代理公司: | 北京市中咨律师事务所 11247 | 代理人: | 李峥;于静 |
地址: | 美国加利*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 电容 静电 放电 esd 器件 | ||
1.一种半导体结构,包括:
第一结构,包括部分地延伸在第一阱之上的第一扩散区域、第二扩散区域和第三扩散区域的图案,其中所述第一结构部分在衬底的绝缘体上半导体SOI区域的掩埋氧化物层和所述第一阱之上;以及
第二结构,包括第二阱中的第四扩散区域,所述第四扩散区域电连接到所述第一结构以在所述衬底的体区域上形成可控硅整流器SCR,其中所述第二结构所述体区域中的所述第二阱之上。
2.根据权利要求1所述的半导体结构,其中,所述第一结构是第一鳍结构,并且所述第二结构是第二鳍结构。
3.根据权利要求2所述的半导体结构,其中,所述第一扩散区域是P+扩散区域,所述第一阱是N阱区域,所述第二阱是P阱区域以及所述第四扩散是N+区域,形成PNPN SCR。
4.根据权利要求3所述的半导体结构,其中,所述第二鳍结构形成在体衬底材料的边缘处,并且所述第一鳍结构由SOI材料形成。
5.根据权利要求4所述的半导体结构,其中,所述SOI材料是完全耗尽的SOI材料。
6.根据权利要求1所述的半导体结构,其中:
所述第一结构是鳍结构;
所述第一扩散区域是P+扩散材料;
所述第二扩散区域是N+扩散材料;以及
所述第三扩散区域是P+扩散材料。
7.根据权利要求1所述的半导体结构,还包括包含所述第一扩散区域和所述第一阱的第一二极管。
8.根据权利要求7所述的半导体结构,还包括包含第二鳍结构和所述第二阱的第二二极管。
9.根据权利要求8所述的半导体结构,其中,所述第一二极管和所述第二二极管形成在所述SOI区域的所述掩埋氧化物层之上。
10.根据权利要求1所述的半导体结构,还包括包含交替扩散区域的鳍结构的第一二极管。
11.根据权利要求10所述的半导体结构,其中,所述第一二极管设置在所述SOI区域中,通过所述掩埋氧化物层与所述第一阱隔离。
12.一种半导体结构,包括:
第一结构的第一P+区域,部分地在绝缘体上半导体SOI技术中的第一N区域之上;以及
在体衬底中的第一P区域,其中,第二结构的第一N+区域形成在与SOI技术相邻的所述体衬底的边缘处。
13.根据权利要求12所述的半导体结构,其中,所述第一P+区域部分地形成在所述SOI技术的掩埋氧化物层上。
14.根据权利要求12所述的半导体结构,其中,所述第一P+区域由所述SOI技术的完全耗尽的半导体材料形成。
15.根据权利要求13所述的半导体结构,其中,所述第一结构是第一鳍结构以及所述第二结构是第二鳍结构。
16.根据权利要求13所述的半导体结构,还包括第一二极管,所述第一二极管包括在SOI区域中的所述掩埋氧化物层之上的第二P+区域和第二N区域。
17.根据权利要求16所述的半导体结构,其中,所述第一P+区域和所述第一N区域是分段的并且在所述体衬底和所述SOI区域的边缘处。
18.根据权利要求17所述的半导体结构,其中,所述第二P+区域和所述第二N区域在所述SOI区域上。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的