[发明专利]光刻胶处理方法

说明书

本发明提供了一种光刻胶处理方法，所述光刻胶处理方法包括：在半导体衬底表面依次形成第一光刻胶和第二光刻胶，其中所述第二光刻胶覆盖所述第一光刻胶；采用第一掩膜板对所述第一光刻胶和所述第二光刻胶进行第一次曝光处理，其中被所述第一掩膜板覆盖的区域为第一掩膜区域；采用第二掩膜板并通过所述第二光刻胶对所述第一光刻胶进行第二次曝光处理，以在所述第一掩膜区域的第一光刻胶边缘形成曝光开口区域；对所述第一光刻胶和所述第二光刻胶进行显影处理，形成倒梯形的光刻胶结构。

【技术领域】

本发明涉及半导体芯片制造技术领域，特别地，涉及一种光刻胶处理方法。

【背景技术】

在半导体及微纳米加工制造过程中广泛地应用到到光刻胶。光刻胶在离子注入、刻蚀工艺中可以作为屏蔽层来实现对半导体器件某个膜层的离子注入或者刻蚀处理。一般来说，在离子注入或者刻蚀工艺完成后，需要将光刻胶进行剥离去除。

常用的光刻胶工艺技术主要有以下两种：

第一种：单层光刻胶技术，其主要通过用甲苯等某种特殊溶液浸泡光刻胶表面，使得光刻胶表面层在显影时，在显影液中的溶解度降低，从而形成倒梯形的光刻胶形貌。对于单层光刻胶工艺，一般需要经过甲苯等溶剂处理光刻胶表面，增加了工艺的复杂性，成本也高。而且，即便光刻胶表面经过处理后，显影时在显影液中的溶解速度慢一些，但是得到的倒梯形的形貌也很难保证，尤其倒梯形的倾斜程度，无法做的很大。而对于光刻胶的剥离工艺，一般要求倒梯形的倾斜程度越大越好。

第二种：双层光刻胶技术，其主要通过上下层光刻胶在显影液中的溶解速度不同，得到倒梯形的光刻胶形貌。不过，由于上下两层光刻胶在显影液中的溶解速度不同，也无法保证精确度，无法保证大倾斜角的倒梯形光刻胶形貌。

有鉴于此，有必要提供一种光刻胶处理方法，以解决现有技术存在的上述问题。

【发明内容】

本发明的其中一个目的在于为解决上述问题而提供一种光刻胶处理方法。

本发明提供的光刻胶处理方法，包括：在半导体衬底表面依次形成第一光刻胶和第二光刻胶，其中所述第二光刻胶覆盖所述第一光刻胶；采用第一掩膜板对所述第一光刻胶和所述第二光刻胶进行第一次曝光处理，其中被所述第一掩膜板覆盖的区域为第一掩膜区域；采用第二掩膜板并通过所述第二光刻胶对所述第一光刻胶进行第二次曝光处理，以在所述第一掩膜区域的第一光刻胶边缘形成曝光开口区域；对所述第一光刻胶和所述第二光刻胶进行显影处理，形成倒梯形的光刻胶结构。

作为在本发明提供的光刻胶处理方法的一种改进，在一种优选实施例中，所述第一光刻胶的第一显开能量小于所述第二光刻胶的第二显示能量。

作为在本发明提供的光刻胶处理方法的一种改进，在一种优选实施例中，所述第一次曝光处理采用的第一曝光能量大于所述第一光刻胶的第一显开能量和所述第二光刻胶的第二显开能量。

作为在本发明提供的光刻胶处理方法的一种改进，在一种优选实施例中，所述第二次曝光处理采用的第二曝光能量大于所述第一光刻胶的第一显示能量，但小于所述第二光刻胶的第二显开能量。

作为在本发明提供的光刻胶处理方法的一种改进，在一种优选实施例中，在所述第一次曝光处理中，所述第一光刻胶和所述第二光刻胶未被所述第一掩膜板覆盖的第一曝光区域都被有效曝光。

作为在本发明提供的光刻胶处理方法的一种改进，在一种优选实施例中，在所述第二次曝光处理中，所述第一光刻胶在所述第一曝光区域中未被所述第二掩膜板覆盖的边缘部分被有效曝光而形成所述曝光开口区域。

作为在本发明提供的光刻胶处理方法的一种改进，在一种优选实施例中，在所述第二次曝光处理中，位于所述曝光开口区域上方的所述第二光刻胶无法被有效曝光。