[发明专利]光刻胶处理方法在审
| 申请号： | 201711323254.7 | 申请日： | 2017-12-12 |
| 公开（公告）号： | CN108107673A | 公开（公告）日： | 2018-06-01 |
| 发明（设计）人： | 不公告发明人 | 申请（专利权）人： | 深圳市晶特智造科技有限公司 |
| 主分类号： | G03F7/00 | 分类号： | G03F7/00;G03F7/16;G03F7/20 |
| 代理公司： | 深圳市兰锋知识产权代理事务所(普通合伙) 44419 | 代理人： | 曹明兰 |
| 地址： | 518000 广东省深圳市宝*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 光刻胶 掩膜板 曝光处理 掩膜区域 半导体衬底表面 光刻胶边缘 光刻胶结构 曝光开口 显影处理 倒梯形 覆盖 | ||
1.一种光刻胶处理方法，其特征在于，包括：
在半导体衬底表面依次形成第一光刻胶和第二光刻胶，其中所述第二光刻胶覆盖所述第一光刻胶；
采用第一掩膜板对所述第一光刻胶和所述第二光刻胶进行第一次曝光处理，其中被所述第一掩膜板覆盖的区域为第一掩膜区域；
采用第二掩膜板并通过所述第二光刻胶对所述第一光刻胶进行第二次曝光处理，以在所述第一掩膜区域的第一光刻胶边缘形成曝光开口区域；
对所述第一光刻胶和所述第二光刻胶进行显影处理，形成倒梯形的光刻胶结构。
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述第一光刻胶的第一显开能量小于所述第二光刻胶的第二显示能量。
3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述第一次曝光处理采用的第一曝光能量大于所述第一光刻胶的第一显开能量和所述第二光刻胶的第二显开能量。
4.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，所述第二次曝光处理采用的第二曝光能量大于所述第一光刻胶的第一显示能量，但小于所述第二光刻胶的第二显开能量。
5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在所述第一次曝光处理中，所述第一光刻胶和所述第二光刻胶未被所述第一掩膜板覆盖的第一曝光区域都被有效曝光。
6.根据权利要求5所述的方法，其特征在于，在所述第二次曝光处理中，所述第一光刻胶在所述第一曝光区域中未被所述第二掩膜板覆盖的边缘部分被有效曝光而形成所述曝光开口区域。
7.根据权利要求6所述的方法，其特征在于，在所述第二次曝光处理中，位于所述曝光开口区域上方的所述第二光刻胶无法被有效曝光。
8.根据权利要求6所述的方法，其特征在于，所述第二掩膜板的尺寸小于所述第一掩膜板，且所述第二掩膜板的中心与所述第一掩膜区域的中心相对准。
9.根据权利要求1至8中任一项所述的方法，其特征在于，还包括：基于所述倒梯形的光刻胶结构，在所述半导体衬底表面形成金属层。
10.根据权利要求9所述的方法，其特征在于，还包括：对所述倒梯形的光刻胶结构进行剥离处理，以使所述半导体衬底表面形成金属图案。
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